C
7/01
tny253/254/255
10
存储 温度 ..................................... -65 至 150
°
C
运行 接合面 温度
(2)
................ -40 至 150
°
C
含铅的 温度
(3)
................................................ 260
°
C
热的 阻抗 (
θ
JA
) ................ 45
°
c/w
(4)
, 35
°
c/w
(5)
热的 阻抗 (
θ
JC
) ..................................... 11
°
c/w
4. 焊接 至 0.36 sq. inch (232 mm
2
), 2 oz. (610 gm/m
2
) 铜 clad.
5. 焊接 至 1 sq. inch(645 mm
2
), 2 oz. (610 gm/m
2
) 铜 clad.
绝对 最大 比率
(1)
流 电压 ....................................... - 0.3 v 至 700 v
顶峰 流 电流 (tny253/4) ........................400 毫安
顶峰 流 电流 (tny255) ........................... 530 毫安
使能 电压 ........................................ - 0.3 v 至 9 v
使能 电流 ................................................... 100 毫安
绕过 电压 .......................................... -0.3 v 至 9 v
1. 所有 电压 关联 至 源, t
一个
= 25
°
c.
2. 正常情况下 限制 用 内部的 电路系统.
3. 1/16" 从 情况 为 5 秒.
40 44 48
66 68 71
-68 -50 -30
-15 -10 -5
1.10 1.45 1.80
-58 -42 -25
160 200
140 180
-3.5
-2.5
5.8
0.72
控制 功能
输出
频率
最大
职责 循环
使能 管脚 turnoff
门槛 电流
使能 管脚
hysteresis 电流
使能 管脚
电压
使能 短的-
电路 电流
流
供应 电流
绕过 管脚
承担 电流
绕过 管脚
电压
绕过
Hysteresis
kHz
%
µ
一个
µ
一个
V
µ
一个
µ
一个
µ
一个
毫安
毫安
V
V
最小值 典型值 最大值
f
OSC
直流
最大值
I
DIS
I
HYS
V
EN
I
ENSC
I
S1
I
S2
I
CH1
I
CH2
V
BP
V
BPH
参数
标识
(除非 否则 指定)
看 图示 14
情况
TNY253
TNY255
TNY253
TNY254
TNY255
TNY253
TNY254
TNY255
TNY253
TNY254
TNY255
130
215
-4.5
-3.3
TNY254
使能 打开
(场效应晶体管 切换)
看 便条 b, c
T
J
= 25
°
C
115 140
265
-2.0
-5.0
-4.0 -1.0
5.6 6.1
0.60 0.85
单位
源 = 0 v
;
T
J
= -40 至 125
°
C
TNY253
TNY255
67
TNY254
T
J
= -40
°
c 至 125
°
C
T
J
= 125
°
C
-68
-52
-45
V
EN
= 0 v, t
J
= -40
°
c 至 125
°
C
V
EN
= 0 v, t
J
= 125
°
C
-58
-45 -38
V
BP
= 0 v, t
J
= 25
°
C
看 便条 d, e
V
BP
= 4 v, t
J
= 25
°
C
看 便条 d, e
64 69
-4.8
-1.8
-6.0
-3.0
170 215
TNY253
TNY254
TNY255
s1 打开
看 便条 一个
I
EN
= -25
µ
一个
V
EN
= 0 v
(场效应晶体管 不 切换)
看 便条 b
看 便条 d
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