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产品 数据 薄板 rev. 03 — 31 january 2005 5 的 22
飞利浦 半导体
74hc245; 74hct245
octal 总线 tranceiver; 3-状态
7. 函数的 描述
7.1 函数 表格
[1] H = 高 电压 水平的;
L = 低 电压 水平的;
X = don’t 小心;
Z = 高-阻抗 止-状态.
8. 限制的 值
[1] 为 dip20 包装: 在之上 70
°
c, p
tot
derates 成直线地 和 12 mw/k.
为 so20 包装: 在之上 70
°
c, p
tot
derates 成直线地 和 8 mw/k.
为 ssop20 和 tssop20 包装: 在之上 60
°
c, p
tot
derates 成直线地 和 5.5 mw/k.
为 dhvqfn20 包装: 在之上 60
°
c, p
tot
derates 成直线地 和 4.5 mw/k.
B1 17 数据 输入/输出
B0 18 数据 输入/输出
OE 19 输出 使能 输入 (起作用的 低)
V
CC
20 供应 电压
表格 3: 管脚 描述
…continued
标识 管脚 描述
表格 4: 函数 表格
[1]
输入 输入/输出
OE DIR 一个 Bn
L L 一个 = b 输入
L H 输入 b = 一个
HXZZ
表格 5: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134). 电压 是 关联 至
地 (地面 = 0 v).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
CC
供应 电压
−
0.5 +7 V
I
IK
输入 二极管 电流 V
I
<
−
0.5 v 或者 v
I
>v
CC
+ 0.5 v -
±
20 毫安
I
OK
输出 二极管 电流 V
O
<
−
0.5 v 或者
V
O
>v
CC
+ 0.5 V
-
±
20 毫安
I
O
输出 源 或者 下沉
电流
V
O
=
−
0.5 v 至 v
CC
+ 0.5 V -
±
35 毫安
I
CC
, i
地
V
CC
或者 地 电流 -
±
70 毫安
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
P
tot
总的 电源 消耗
[1]
dip20 包装 - 750 mW
so20, ssop20,
tssop20 和
dhvqfn20 包装
- 500 mW
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