DS18B20
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记忆
这 ds18b20’s 记忆 是 有组织的 作 显示 在 图示 7. 这 记忆 组成 的 一个 sram
scratchpad 和 nonvolatile 可擦可编程只读存储器 存储 为这 高 和 低 alarm 触发 寄存器 (t
H
和 t
L
)
和 配置 寄存器. 非te 那 如果 这 ds18b20 alarm 函数 是 不 使用, 这 t
H
和 t
L
寄存器
能 提供 作 一般-目的 记忆. 所有 记忆 commands 是 描述 在 detail 在 这
DS18B20
函数 commands
部分.
字节 0 和 字节 1 的 这 scratchpad 包含 the lsb 和 这 msb 的 这 温度 寄存器,
各自. 这些 字节 是 读-仅有的. 字节 2 和 3 提供 进入 至 t
H
和 t
L
寄存器. 字节 4
包含 这 配置 寄存器 数据, 这个是 explained 在 detail 在 这 配置
寄存器 部分 的 这个 数据手册. 字节 5, 6, 和 7是 保留 为 内部的 使用 用 这 设备 和
不能 是 overwritten; 这些 字节 将 返回 所有 1s 当 读.
字节 8 的 这 scratchpad 是 读-仅有的 和 包含 这 cyclic 多余 审查 (crc) 代号 为 字节 0
通过 7 的 这 scratchpad. 这 ds18b20 发生 这个 crc 使用 这 方法 描述 在
这 crc
一代
部分.
数据 是 写 至 字节 2, 3, 和 4 的 这 scratchpad 使用 这 写 scratchpad [4eh] command; 这 数据
必须 是 transmitted 至 这 ds18b20 开始 和 这 least 重大的 位 的 字节 2. 至 核实 数据
integrity, 这 scratchpad 能 是 读 (使用 这 读 scratchpad [beh] command) 之后 这 数据 是
写. 当 读 这 scratchpad, 数据 是 transferred 在 这 1-线 总线 开始 和 这 least
重大的 位 的 字节 0. 至 转移 这 t
H
, t
L
和 配置 数据 from 这 scratchpad 至 可擦可编程只读存储器,
这 主控 必须 公布 这 copy scratchpad [48h] command.
数据 在 这 可擦可编程只读存储器 寄存器 是 retained 当 这 设备 是 powered 向下; 在 电源-向上 这 可擦可编程只读存储器
数据 是 reloaded 在 这 相应的 scratchpad locations. 数据 能 也 是 reloaded 从 可擦可编程只读存储器 至
这 scratchpad 在 任何 时间 使用 这 recall e
2
[b8h] command. 这 主控 能 公布 读 时间 slots
下列的 这 recall e
2
command 和 这 ds18b20 将 表明 这 状态 的 这 recall 用 transmitting 0
当 这 recall 是 在 progress和 1 当 这 recall 是 完毕.
ds18b20 记忆 编排
图示 7
scratchpad (电源-向上 状态)
字节 0 温度 lsb (50h)
字节 1 温度 msb (05h)
可擦可编程只读存储器
字节 2 T
H
寄存器 或者 用户 字节 1* T
H
寄存器 或者 用户 字节 1
字节 3 T
L
寄存器 或者 用户 字节 2* T
L
寄存器 或者 用户 字节 2
字节 4 配置 寄存器* 配置 寄存器
字节 5 保留 (ffh)
字节 6 保留 (0ch)
字节 7 保留 (10h)
字节 8 CRC*
*
电源-向上 状态 取决于 在 值(s) 贮存
在 可擦可编程只读存储器
(85°c)
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