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MUR420
vishay 半导体
formerly 一般 半导体
www.vishay.com 文档 号码 88685
2 07-二月-02
比率 和
典型的 曲线
0
50
75
100
125
150
25
1 10010
图. 2 – 最大 非-repetitive 顶峰
向前 surge 电流
顶峰 向前 surge 电流 (一个)
号码 的 循环 在 60 h
Z
0
2.0
4.0
6.0
8.0
图. 1 – 向前 电流
减额 曲线
平均 向前 电流 (一个)
包围的 温度 (
°
c)
0.40.2 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4
instantaneous 向前 电压 (v)
图. 3 – 典型 instantaneous
向前 特性
020 6040 10080
图. 4 – 典型 反转 泄漏
特性
instantaneous 反转
泄漏 电流 (
µ
一个)
百分比 的 评估 顶峰 反转 电压 (%)
0.01
0.1
10
100
1
instantaneous 向前 电流 (一个)
反转 电压 (v)
接合面 电容 (pf)
10.1 10 100
1000
10
100
1
图. 5 – 典型 接合面 电容
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T
J
= 175
°
C
T
J
= 175
°
C
T
J
= 25
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
0
25
50
75
100
125
150 175

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MUR420 vishay 半导体 formerly 一般半导体 www.vishay.com 文档号码 88685 2 07-二月-02 比率和典型的曲线 0 50 75 100 125 150 25 1 10010 图. 2 – 最大非-repetitive 顶峰向前 surge 电流顶峰向前 surge 电流 (一个) 号码的循环在 60 h Z 0 2.0 4.0 6.0 8.0 图. 1 – 向前电流减额曲线平均向前电流 (一个) 包围的温度 ( ° c) 0.40.2 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 instantaneous 向前电压 (v) 图. 3 – 典型 instantaneous 向前特性 020 6040 10080 图. 4 – 典型反转泄漏特性 instantaneous 反转泄漏电流 ( µ 一个) 百分比的评估顶峰反转电压 (%) 0.01 0.1 10 100 1 instantaneous 向前电流 (一个) 反转电压 (v) 接合面电容 (pf) 10.1 10 100 1000 10 100 1 图. 5 – 典型接合面电容 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 T J = 175 ° C T J = 175 ° C T J = 25 ° C T J = 100 ° C T J = 100 ° C T J = 25 ° C 0 25 50 75 100 125 150 175

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