ADM691A/adm693a/adm800l/m
–9–
rev. 0
7
osc sel
osc 在
8
adm69_一个
adm800_
C
OSC
图示 18d. 内部的 振荡器 (100 ms 看门狗)
WDI
WDO
t
1
重置
t
1
= 重置 时间.
t
2
= 正常的 (短的) 看门狗 timeout 时期.
t
3
= 看门狗 timeout 时期 立即 下列的 一个 重置.
t
1
t
1
t
2
t
3
图示 19. 看门狗 定时
ce gating 和 内存 写 保护
所有 产品 包含 记忆 保护 电路系统 这个 确保
这 integrity 的 数据 在 记忆 用 阻止 写 行动
当 v
CC
是 在 一个 invalid 水平的. 那里 是 二 额外的 管脚,
CE
在
和
CE
输出
, 那 控制 这 碎片 使能 或者 写 输入
的 cmos 内存. 当 v
CC
是 呈现,
CE
输出
是 一个 缓冲 rep-
lica 的
CE
在
, 和 一个 5 ns 传播 延迟. 当 v
CC
falls 是-
低 这 重置 电压 门槛, 一个 内部的 门 forces
CE
输出
高, 独立 的
CE
在
.
CE
输出
典型地 驱动 这 ce, cs, 或者 写 输入 的 电池
backed 向上 cmos 内存. 这个 确保 这 integrity 的 这 数据
在 记忆 用 阻止 写 行动 当 v
CC
是 在 一个 在-
有效的 水平的. 类似的 保护 的 eeproms 能 是 达到 用
使用 这
CE
输出
至 驱动 这 store 或者 写 输入 的 一个
可擦可编程只读存储器, earom, 或者 novram.
电源 失败 警告 比较器
一个 额外的 比较器 是 提供 为 early 警告 的 失败-
ure 在 这 微处理器’s 电源 供应. 这 电源 失败 输入
(pfi) 是 对照的 至 一个 内部的 +1.25 v 涉及. 这 电源
失败 输出 (
PFO
) 变得 低 当 这 电压 在 pfi 是 较少 比
1.3 v. 典型地 pfi 是 驱动 用 一个 外部 电压 分隔物 那
senses 也 这 无秩序的 直流 输入 至 这 系统’s 5 v regu-
lator 或者 这 管制 5 v 输出. 这 电压 分隔物 比率 能
是 选择 此类 那 这 电压 在 pfi falls 在下 1.25 v 一些
milliseconds 在之前 这 +5 v 电源 供应 falls 在下 这 重置
门槛.
PFO
是 正常情况下 使用 至 中断 这 微处理器
所以 那 数据 能 是 贮存 在 内存 和 这 shut- 向下 proce-
dure executed 在之前 电源 是 lost.
R2
PFO
1.25v
电源
失败
输入
电源
失败
输出
R1
输入
电源
图示 20. 电源 失败 比较器
表格 iii. 输入 和 输出 状态 在 电池 backup 模式
信号 状态
V
BATT
供应 电流 是 <1
µ
一个.
V
输出
V
输出
是 连接 至 v
BATT
通过 一个 内部的
pmos 转变.
V
CC
switchover 比较器 monitors v
CC
为
起作用的 switchover.
地 0 v.
batt 在 逻辑 高. 这 打开 电路 电压 是 equal
至 v
输出
.
低 线条
逻辑 低.
osc 在 osc 在 是 ignored.
osc sel osc sel 是 ignored.
PFI 这 电源 失败 比较器 仍然是 起作用的 在
这 电池-backup 模式 为 v
CC
≥
V
BATT
–1.2 v. 和 v
CC
更小的 比 这个, pfo 是
强迫 低.
PFO
这 电源 失败 比较器 仍然是 起作用的 在
这 电池-backup 模式 为 v
CC
≥
V
BATT
–1.2 v. 和 v
CC
更小的 比 这个, pfo 是
强迫 低.
WDI wdi 是 ignored.
CE
输出
逻辑 高. 这 打开 电路 电压 是 equal
至 v
输出
.
CE
在
高 阻抗.
WDO
逻辑 高. 这 打开 电路 电压 是 equal
至 v
输出
.
重置
逻辑 低.
重置 高 阻抗.
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