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资料编号:1055663
 
资料名称:ADP667
 
文件大小: 144237K
   
说明
 
介绍:
+5V Fixed, Adjustable Low-Dropout Linear Voltage Regulator
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
ADP667
rev. 0
–5–
落后 探测器
这 adp667 特性 一个 极其 低 落后 电压 制造
它 合适的 为 低 电压 系统 在哪里 头上空间 是 限制. 一个
落后 探测器 是 也 提供. 这 落后探测器 输出,
dd, 改变 作 这 落后 电压 approaches它的 限制. 这个 是
有用的 为 警告 那 规章制度 能 非 变长 是 maintained.
这 落后 探测器 输出 是 一个 打开 集电级 输出 从 一个
pnp 晶体管. 下面 正常的 运行 情况 和 这 在-
放 电压 更多 比 300 mv 在之上 这 输出, 这 pnp tran-
sistor 是 止 和 非 电流 flows 输出 这 dd 管脚. 作 这 电压
差别的 减少 至 较少 比 300 mv, 这晶体管 switches
在 和 电流 是 sourced. 这个 情况indicates 那 规章制度
能 非 变长 是 maintained. 请 谈及 至 图示 10 在 这
“typical 效能 特性.” 这 电流 输出 能
是 translated 在 一个 电压 输出 用 连接 一个 电阻 从
dd 至 地. 一个 电阻 值 的 100 k
是 合适的. 一个 数字的
状态 信号 能 是 得到 使用 一个 比较器. 这 在-碎片
比较器 lbi 将 是 使用 如果 它 是 不 正在 使用 至 监控 一个
电池 电压. 这个 是 illustrated 在 图示 5.
+
C1
10µF
输出
LBO
ADP667
+5V
输出
R2
10k
LBI
GNDSET SHDN
落后
状态
输出
DD
V
R1
100k
+
图示 5. 落后 状态 输出
输出 电容 选择
一个 输出 电容 是 必需的 在 这 adp667 至 维持
稳固 和 也 至 改进 这 加载 瞬时 回馈. ca-
pacitor 值 从 10
µ
f upwards 是 合适的. 所有 specifica-
tions 是 测试 和 有保证的 和 10
µ
f. 电容 大
比 10
µ
f 将 更远 改进 这 动态 瞬时 回馈
特性 的 这 调整器. tantalum 或者 铝 electro-
lytics 是 合适的 为 大多数 产品. 为 温度 在下
关于 –25
°
c, 固体的 tantalums 应当 是 使用 作 许多 alumi-
num electrolytes freeze 在 这个 温度.
安静的 电流 仔细考虑
这 adp667 使用 一个 pnp 输出 平台 至 达到 低 落后
电压 联合的 和 高 输出 电流 能力. 下面
正常的 regulating 情况 这 安静的 电流 是 极其
低. 不管怎样 如果 这 输入 电压 drops 所以 那 它 是 在下 这
desired 输出 电压, 这 安静的 电流 增加 考虑-
ably. 这个 发生 因为 规章制度 能 非 变长 是 主要的-
tained 和 大 根基 电流 flows 在 这 pnp 输出 晶体管
在 一个 attempt 至 支撑 它 全部地 在. 为 最小 安静的 cur-
rent, 它 是 因此 重要的 那 这 输入 电压 是 主要的-
tained 高等级的 比 这 desired 输出 水平的. 如果 这 设备 是 正在
powered 使用 一个 电池 那 能 释放 向下 在下 这 rec-
ommended 水平的, 那里 是 一个 couple 的 技巧 那 能 是
应用 至 减少 这 安静的 电流, 但是 在 这 费用 的
落后 电压. 这 第一 的 这些 是 illustrated 在 图示 6. 用
连接 dd 至 shdn 这 调整器 是 partially 无能 和
输入 电压 在下 这 desired 输出 电压 和 因此
这 安静的 电流 是 减少 非常.
+
C1
10µF
输出
ADP667
+5V
输出
GNDSET SHDN
DD
V
R1
47k
+
C2
0.1µf
图示 6. iq 减少 1
另一 技巧 为 减少 这 安静的 电流 near 漏出-
输出 是 illustrated 在 图示 7. 这 dd 输出 是 使用 至 modify
这 输出 电压 所以 那 作 v
drops, 这 desired 输出 volt-
age 选点 也 drops. 这个 技巧 仅有的 工作 当 exter-
nal 电阻器 是 使用 至 设置 这 输出 电压. 和 v
更好
比 v
输出
, dd 有 非 效应. 作 v
减少 和 落后 是
reached, 这 dd 输出 开始 sourcing 电流 在 这 设置
输入 通过 r3. 这个 增加 这 设置 电压 所以 那 这
调整器 反馈 循环 做 不 驱动 这 内部的 pnp transis-
tor 作 hard 作 它 否则 将. 作 这 输入 电压 持续
至 decrease, 更多 电流 是 sourced, 因此 减少 这 pnp
驱动 甚至 更远. 这 有利因素 的 这个 scheme 是 那 它 主要的-
tains 一个 低 安静的 电流 向下 至 非常 低 值 的 v
这个 要点 这 batteries 是 好 外部 它们的 有用的 运行
范围. 这 输出 电压 轨道 这 输入 电压 minus 这
落后. 这 shdn 函数 是 也 unaffected 和 将 是
使用 正常情况下 如果 desired.
+
C1
10µF
输出
ADP667
+5V
输出
设置
SHDN
DD
R1
332k
R2
1M
R3
1M
+
V
图示 7. iq 减少 2
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