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资料编号:1055920
 
资料名称:DS1220Y
 
文件大小: 148027K
   
说明
 
介绍:
16K Nonovolatile SRAM
 
 


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DS1220Y
6 的 8
电源-向下/电源-向上 情况
看 便条 11
电源-向下/电源-向上 定时
参数 标识 最小值 最大值 单位 注释
CE 在 v
IH
在之前 电源-向下
t
PD
0
µ
s
11
V
CC
回转 从 v
TP
至 0v t
F
100
µ
s
V
CC
回转 从 0v 至 v
TP
t
R
0
µ
s
CE 在 v
IH
之后 电源-向上
t
REC
2ms
(t
一个
= 25
°
c)
参数 标识 最小值 最大值 单位 注释
预期的 数据 保持 时间 t
DR
10 9
警告:
下面 非 circumstance 是 负的 undershoots, 的 任何 振幅, 允许 当 设备 是 在 电池
backup 模式.
注释:
1.
我们 是 高 为 一个 读 循环.
2.
OE = v
IH
或者 v
IL
. 如果 OE = v
IH
在 一个 写 循环, 这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗
状态.
3.
t
WP
是 指定 作 这 logical 和 的 CE 我们 . t
WP
是 量过的 从 这 latter 的 CE 或者 我们
going 低 至 这 早期 的
CE 或者 我们 going 高.
4.
t
DS
是 量过的 从 这 早期 的 CE 或者 我们 going 高.
5.
这些 参数 是 抽样 和 一个 5 pf 加载 和 是 不 100% 测试.
6.
如果 这 CE 低 转变 occurs 同时发生地 和 或者 后来的 比 这 我们 低 转变 在 写
循环 1, 这 输出 缓存区 仍然是 在 一个 高 阻抗 状态 在 这个 时期.
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