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4
管脚 # 名字 描述
1V
在
相似物 输入. 全部-规模 输入 范围 是
±
2.5v.
2 地 地面.
3 REF 涉及 输入/输出. 输出 内部的 涉及 的 +2.5v 名义上的. 能 也 是 驱动 用 外部 系统 涉及. 在
两个都 具体情况, 连接 至 地面 和 一个 0.1
µ
f 陶瓷的 电容 在 并行的 和 2.2
µ
f tantalum 电容.
4 CAP 涉及 补偿 电容. 使用 一个 并行的 结合体 的 一个 0.1
µ
f 陶瓷的 电容 和 一个 2.2
µ
f tantalum 电容.
5 地 地面.
6 d15 (msb) 数据 位 15. 大多数 重大的 位 (msb) 的 转换 结果. hi-z 状态 当 cs 是 high, 当 r/c 是 低 或者 当 一个
转换 是 在 progress.
7 D14 数据 位 14. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
8 D13 数据 位 13. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
9 D12 数据 位 12. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
10 D11 数据 位 11. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
11 D10 数据 位 10. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
12 D9 数据 位 9. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
13 D8 数据 位 8. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
14 地 地面.
15 D7 数据 位 7. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
16 D6 数据 位 6. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
17 D5 数据 位 5. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
18 D4 数据 位 4. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
19 D3 数据 位 3. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
20 D2 数据 位 2. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
21 D1 数据 位 1. hi-z 状态 当 cs 是 高, 当 r/c 是 低 或者 当 一个 转换 是 在 progress.
22 d0 (lsb) 数据 位 0. least 重大的 位 (lsb) 的 转换 结果. hi-z 状态 当 cs 是 high, 当 r/c 是 低 或者 当 一个
转换 是 在 progress.
23 –V
S
负的 供应 输入. nominally –5v. 分离 至 相似物 地面 和 0.1
µ
f 陶瓷的 和 10
µ
f tantalum 电容.
24 r/c 读/转变 输入. 和 r/c 高, cs going 低 将 使能 这 输出 数据 位 如果 一个 转换 是 不 在 progress. 和
r/c 低, cs going 低 将 开始 一个 转换 如果 一个 是 不 already 在 progress.
25 CS 碎片 选择. 和 r/c 低, cs going 低 将 initiate 一个 转换 如果 一个 是 不 already 在 progress. 和 r/c high, cs
going 低 将 使能 这 输出 数据 位 如果 一个 转换 是 不 在 progress.
26 BUSY busy 输出. falls 当 一个 转换 是 started, 和 仍然是 低 直到 这 转换 是 完成. 和 cs 低 和
r/c 高, 输出 数据 将 是 有效的 当 busy rises, 所以 那 这 rising 边缘 能 是 使用 至 获得 这 数据. cs 或者 r/c 必须
是 高 在里面 250ns 之后 busy rises 或者 另一 转换 将 开始 没有 时间 为 信号 acquisition.
27 +V
S
积极的 供应 输入. nominally +5v. 连接 直接地 至 管脚 28.
28 +V
S
积极的 供应 输入. nominally +5v. 连接 直接地 至 管脚 27. 分离 至 地面 和 0.1
µ
f 陶瓷的 和 10
µ
F
tantalum 电容.
表格 i. 管脚 assignments.
管脚 配置
顶 视图 SOIC
+V
S
+V
S
BUSY
CS
r/c
–V
S
d0 (lsb)
D1
D2
D3
D4
D5
D6
D7
V
在
GND
REF
CAP
GND
d15 (msb)
D14
D13
D12
D11
D10
D9
D8
地
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
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