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资料编号:1056982
 
资料名称:2SK2478
 
文件大小: 117289K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK2478
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
向前 偏差 safe 运行 范围
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0.1
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
T
C
- 情况 温度 - ˚c
dt - percentage 的 评估 电源 - %
总的 电源 消耗 vs.
情况 温度
T
C
- 情况 温度 - ˚c
P
T
- 总的 电源 消耗 - w
0
20
0
20 40 60 80 100 120 140 160
20
40
60
80
100
40 60 80 100 120 140 160
35
30
25
20
15
10
5
0.1
1
1
10
100
10 100 1000
T
C
= 25 ˚c
单独的 脉冲波
0
20
30
40
5
1.0
10
100
搏动
V
DS
= 10 v
10
10
0
搏动
51015
I
D
(脉冲波)
1 ms
10 ms
100 ms
电源 消耗 限制
R
ds(在)
限制 (在 v
GS
= 10 v)
pw = 100 s
V
GS
= 20 v
10 v
8 v
6 v
T
一个
= –25 ˚c
25 ˚c
75 ˚c
125 ˚c
I
d(直流)
µ
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