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手机版
资料编号:1057007
资料名称:
2SK2053
文件大小: 60732K
说明
:
介绍
:
MOS Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK2053
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
d
T
- 减额 因素 - %
0
100
80
60
40
20
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
向前 偏差 safe 运行 范围
I
D
- 流 电流 - 一个
1
10
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
流 电流 vs.
流 至 源 电压
I
D
- 流 电流 - 一个
0
5
4
3
2
1
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
转移 特性
I
D
- 流 电流 - 一个
0
10
1
0.1
0.01
0.001
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
向前 转移 admittance vs.
流 电流
|y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
0.001
10
I
D
- 流 电流 - 一个
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
流 电流
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
0.01
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
D
- 流 电流 - 一个
12030
60
90
150
5
2
1
0.5
0.2
0.1
2
5
10
20
50
100
pw = 1 ms
直流
10 ms
100 ms
单独的
脉冲波
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
4.0 v
2.5 v
2.0 v
1.8 v
V
GS
= 1.5 v
3.0 v
0.5
1
1.5
2
2.5
V
DS
= 3 v
T
一个
= 75 ˚c
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
–25˚C
3
1
0.3
0.1
0.03
0.01
0.003
0.01
0.03
0.1
0.3
1
T
一个
= –25 ˚c
25 ˚c
75 ˚c
V
DS
= 3 v
0.10.03
0.3
1
3
10
–25 ˚c
25 ˚c
V
GS
= 1.5 v
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