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资料编号:1057009
 
资料名称:2SK2055
 
文件大小: 56814K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2SK2055
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
dt - 减额 因素 - %
0
100
80
60
40
20
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
向前 偏差 safe 运行 范围
I
D
- 流 电流 - 一个
1
10
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
流 电流 vs.
流 至 源 电压
I
D
- 流 电流 - 一个
0
2.0
1.6
1.2
0.8
0.4
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
转移 特性
I
D
- 流 电流 - 一个
0
10
1
0.1
0.01
0.001
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
向前 转移 admittance vs.
流 电流
|y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
0.001
10
1
0.1
0.01
I
D
- 流 电流 - 一个
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
流 电流
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
0.01
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
I
D
- 流 电流 - 一个
30 60 90 120 150
5
2
1
0.5
0.2
0.1
2 5 10 20 50 100
单独的
脉冲波
pw = 1 ms
10 ms
100 ms
直流
10 v
8 v
4 v
3 v
V
GS
= 2 v
0.5 1 1.5 2 2.5
V
DS
= 10 v
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
–25 ˚c
V
DS
= 10 v
0.003 0.01 0.03 0.1 0.3 1
25 ˚c
75 ˚c
0.10.03 0.3 1 3 10
V
GS
= 4 v
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
–25 ˚c
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
T
一个
= –25 ˚c
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