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资料编号:1057014
资料名称:
2SK2111
文件大小: 59745K
说明
:
介绍
:
MOS Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK2111
3
典型 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
减额 因素 的 向前 偏差
safe 运行 范围
100
80
60
40
20
0
30
60
90
120
150
T
一个
- 包围的 温度 - ˚c
dt - 减额 因素 - %
向前 偏差 safe 运行 范围
10
5
2
1
0.2
0.1
2
5
20
50
100
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0.5
1
10
单独的 脉冲波
流 电流 vs.
流 至 源 电压
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
100 ms
1 ms
pw = 100 ms
直流
4.5 v
4.0 v
3.5 v
3.0 v
2.5 v10 v
V
GS
= 2.0 v
转移 特性
1
0.1
0.01
0.001
0.5
1
1.5
2
2.5
3
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
0.0001
V
DS
= 10 v
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
向前 转移 admittance vs.
流 电流
10
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
I
D
- 流 电流 - 一个
|y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
0.01
V
DS
= 10 v
25 ˚c
75 ˚c
T
一个
= –25 ˚c
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 流 电流
10
0.5
0.01
0.1
1
10
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
0
V
GS
= 4 v
T
一个
= 75 ˚c
25 ˚c
–25 ˚c
–25 ˚c
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