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资料编号:1057017
 
资料名称:2SK2158
 
文件大小: 61940K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2SK2158
4
I
D
- 流 电流 - 毫安
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
70
60
50
40
30
20
10
0
1 10 100 1 000
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 流 电流
V
GS
= 4.0 v
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
50
40
30
20
10
0
246
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 门 至 源 电压
I
D
= 10 毫安
I
D
= 100 毫安
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
C
iss
, c
oss
, c
rss
- 电容 - pf
10
5
2
1
0.5
0.2
0.1
1 2 5 10 20 50 100
电容 vs.
流 至 源 电压
C
iss
C
oss
I
D
- 流 电流 - 毫安
t
d(在)
, t
r
, t
d(止)
, t
f
- 切换 时间 - ns
100
50
20
10
5
2
1
10 20 50 100 200 500 1 000
切换 特性
V
GS
= 0
f = 1 mhz
C
rss
V
SD
- 源 至 流 电压 - v
I
SD
- 源 至 流 电流 - 一个
1
0.1
0.01
0.001
0.4 0.8 1.2 1.6 2
源 至 流 二极管
向前 电压
t
r
t
f
t
d(在)
t
d(止)
V
DD
= 3 v
V
gs(在)
= 3 v
R
G
= 10
V
GS
= 4.0 v
T
一个
= 75 ˚c
–25 ˚c
25 ˚c
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