数据 薄板 d13796ej1v0ds00
2
2SK3204
电的 特性 (t
一个
= 25 °c)
PARAMATERS 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
ds(在)1
V
GS
= 10 v, i
D
= 8 一个 25 34 m
Ω
流 至 源 在-状态 阻抗
R
ds(在)2
V
GS
= 4 v, i
D
= 8 一个 35 50 m
Ω
门 至 源 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
= 10 v, i
D
= 1 毫安 1.0 1.5 2.0 V
向前 转移 admittance | y
fs
|V
DS
= 10 v, i
D
= 8 一个 8.0 14 S
流 泄漏 电流 I
DSS
V
DS
= 60 v, v
GS
= 0 v 10
µ
一个
门 至 源 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
= ±20 v, v
DS
= 0 v ±10
µ
一个
输入 电容 C
iss
940 pF
输出 电容 C
oss
290 pF
反转 转移 电容 C
rss
V
DS
= 10 v, v
GS
= 0 v, f = 1 mhz
120 pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
17 ns
上升 时间 t
r
150 ns
转变-止 延迟 时间 t
d(止)
58 ns
下降 时间 t
f
I
D
= 8 一个, v
gs(在)
= 10 v, v
DD
= 30 v,
R
G
= 10
Ω
52 ns
总的 门 承担 Q
G
25 nC
门 至 源 承担 Q
GS
2.9 nC
门 至 流 承担 Q
GD
I
D
= 15 一个, v
DD
= 48 v, v
gs(在)
= 10 v
7.5 nC
身体 二极管 向前 电压 V
f(s-d)
I
F
= 15 一个, v
GS
= 0 v 0.92 V
反转 恢复 时间 t
rr
45 ns
反转 恢复 承担 Q
rr
I
F
= 15 一个, v
GS
= 0 v,
di/dt = 100 一个/
µ
s
81 nC
测试 电路 3 门 承担
V
GS
= 20
→
0
V
pg.
R
G
= 25
Ω
50
Ω
d.u.t.
L
V
DD
测试 电路 1 avalanche 能力
pg.
R
G
= 10
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
测试 电路 2 切换 时间
R
G
pg.
I
G
= 2 毫安
50
Ω
d.u.t.
R
L
V
DD
I
D
V
DD
I
作
V
DS
BV
DSS
开始 t
ch
V
GS
0
τ
= 1
µ
s
职责 循环
≤
1 %
τ
V
GS
波 表格
I
D
波 表格
V
GS
I
D
10
%
0
0
90
%
90
%
90
%
V
gs(在)
I
D
t
在
t
止
t
d(在)
t
r
t
d(止)
t
f
10
%10
%
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