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资料编号:1057077
 
资料名称:2SK3306
 
文件大小: 71588K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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数据 薄板 d14004ej2v0ds00
6
2SK3306
单独的 avalanche 电流 vs
inductive 加载
100
10
1
1.00e–04 1.00e–03 1.00e–02 1.00e–01
I
- 单独的 avalanche 电流 - 一个
单独的 avalanche 活力 vs
开始 频道 温度
150
100
125
75
25
E
- 单独的 avalanche 活力 - mj
50
25
50 75 100 125
I
d(顶峰)
= i
R
G
= 25
V
GS
= 20 v
0 v
V
DD
= 150 v
I
= 5.0 一个
E
= 125 mj
150 175
E
= 125 mj
R
G
= 25
V
DD
= 150 v
V
GS
= 20 v
0 v
开始 t
ch
= 25 ˚c
l - inductive 加载 - h
开始 t
ch
- 开始 频道 温度 - ˚c
0
0.1
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