首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1057079
 
资料名称:2SK3299
 
文件大小: 80996K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
  浏览型号2SK3299的Datasheet PDF文件第1页
1
浏览型号2SK3299的Datasheet PDF文件第2页
2

3
浏览型号2SK3299的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号2SK3299的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号2SK3299的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号2SK3299的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号2SK3299的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14060ej1v0ds00
3
2SK3299
典型 特性 (t
一个
= 25 °c)
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
100
40
20
30
5
0
15
20
10
25
30
6.0 v
V
GS
= 10 v
8.0 v
搏动
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
151050
100
10
1
0.1
0.01
V
DS
= 10 v
搏动
25
˚C
25
˚C
T
ch
= 125
˚C
75
˚C
门 至 源 截止 电压
vs. 频道 温度
T
ch
- 频道 温度 -
˚C
V
gs(止)
- 门 至 源 截止 电压 - v
50 0 50 100 150
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
V
DS
= 10 v
I
D
= 1 毫安
向前 转移 admittance vs.
流 电流
1 10010
I
D
- 流 电流 - 一个
| y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
10
100
0.1
1
0.1
V
DS
= 10 v
搏动
T
ch
=
25
˚C
25
˚C
75
˚C
125
˚C
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
10
2.0
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds (在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
1.0
0
515
0
3.0
搏动
I
D
= 10 一个
5.0 一个
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
1.0
1.0
10 100
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
2.0
0
0
3.0
搏动
V
GS
= 10 v
20 v
••
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com