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资料编号:1057079
资料名称:
2SK3299
文件大小: 80996K
说明
:
介绍
:
MOS Field Effect Transistor
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
7
8
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
数据 薄板 d14060ej1v0ds00
3
2SK3299
典型 特性 (t
一个
= 25 °c)
流 电流 vs.
流 至 源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
100
40
20
30
5
0
15
20
10
25
30
6.0 v
V
GS
= 10 v
8.0 v
搏动
向前 转移 特性
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
I
D
- 流 电流 - 一个
151050
100
10
1
0.1
0.01
V
DS
= 10 v
搏动
25
˚C
−
25
˚C
T
ch
= 125
˚C
75
˚C
门 至 源 截止 电压
vs. 频道 温度
T
ch
- 频道 温度 -
˚C
V
gs(止)
- 门 至 源 截止 电压 - v
−
50
0
50
100
150
5.0
4.0
3.0
2.0
1.0
0
V
DS
= 10 v
I
D
= 1 毫安
向前 转移 admittance vs.
流 电流
1
10010
I
D
- 流 电流 - 一个
| y
fs
| - 向前 转移 admittance - s
10
100
0.1
1
0.1
V
DS
= 10 v
搏动
T
ch
=
−
25
˚C
25
˚C
75
˚C
125
˚C
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
10
2.0
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds (在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
1.0
0
515
0
3.0
搏动
I
D
= 10 一个
5.0 一个
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
1.0
1.0
10
100
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
Ω
2.0
0
0
3.0
搏动
V
GS
= 10 v
20 v
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