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资料编号:1057087
 
资料名称:2SK3054
 
文件大小: 52888K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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数据 薄板 d14209ej2v0ds00
4
2SK3054
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
01 3 5 7 9
6
10
10
搏动
30
20
8
42
I
D
= 100 毫安
I
D
= 10 毫安
流 至 源 在-状态 阻抗
vs. 流 电流
I
D
- 流 电流 - 毫安
搏动
10.1
10
100
10 100
1
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
V
GS
= 4.0 v
V
GS
= 2.5 v
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
50
0
10
100 150
I
D
= 5 毫安
15
20
25
V
GS
= 2.5 v
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
频道 温度
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
50
0
100 150
I
D
= 5 毫安
15
20
30
25
V
GS
= 4.0 v
电容 vs. 流 至
源 电压
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
C
iss
, c
oss
, c
rss
- 电容 - pf
1
1
10
100
10 100
V
GS
= 0 v
f = 1 mhz
C
iss
C
oss
C
rss
切换 特性
I
D
- 流 电流 - 毫安
t
d(在)
, t
r
, t
d(止)
, t
f
- 切换 时间 - ns
1
1
10
100
1 000
10 100
1000
V
DD
= 3 v
V
GS
= 3 v
R
GS
= 10
t
d(止)
t
d(在)
t
r
t
f
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