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资料编号:1057091
 
资料名称:2SK3325
 
文件大小: 79272K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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数据 薄板 d14264ej1v0ds00
5
2SK3325
figure11. 流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
频道 温度
3.0
2.0
1.0
0.0
–50 0 50 100 150
V
GS
= 10 v
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
R
ds(在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
I
D
= 10 一个
I
D
= 5.0 一个
figure12. 源 至 流 二极管
向前 电压
10
1
0.5
0.1
1.5
V
SD
- 源 至 流 电压 - v
I
SD
- 二极管 向前 电流 - 一个
搏动
1.00.0
0.01
100
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10 v
figure13. 电容 vs. 流 至
源 电压
1000
10
100
1 100 1000
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
V
GS
= 0 v
f = 1.0 mhz
10
10000
C
iss
0.1
1
C
oss
C
iss
, c
oss
, c
rss
- 电容 - pf
C
rss
figure14. 切换 特性
1000
100
10
t
d(在)
, t
r
, t
d(止)
, t
f
- 切换 时间 - ns
0.1 100
I
D
- 流 电流 - 一个
V
DD
= 150 v
V
GS
= 10 v
R
G
= 10
t
f
t
d(止)
t
d(在)
110
1
t
r
figure15. 反转 恢复 时间 vs.
流 电流
0
0.1 10 100
t
rr
- 反转 恢复 时间 - ns
I
F
- 流 电流 - 一个
di/dt = 50 一个/
µ
s
V
GS
= 0 v
1
100
500
600
700
800
900
1000
400
300
200
105202515
400
500
600
700
800
300
200
100
V
DS
V
GS
I
D
= 10 一个
V
DS
- 流 至 源 电压 - v
Q
G
- 门 承担 - nc
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
figure16. 动态 输入/输出 特性
14
12
10
8
6
4
2
V
DD
= 400 v
250 v
100 v
0
0
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