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资料编号:1057229
 
资料名称:2SK2409
 
文件大小: 111881K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
2SK2409
4
向前 转移 admittance vs.
流 电流
1000
100
10
1
1
I
yfs
i - 向前 转移 admittance - s
I
D
- 流 电流 - 一个
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
50
010
R
ds (在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
40
30
20
10
搏动
10 100
ta = –25 ˚c
25 ˚c
75 ˚c
125 ˚c
V
DS
= 10 v
搏动
I
D
= 20 一个
60
20 30
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
40
20
0
1 100
R
ds (在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 - m
I
D
- 流 电流 - 一个
门 至 源 截止 电压 vs.
频道 温度
2.0
–50 0
V
gs (止)
- 门 至 源 截止 电压 - v
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
1.5
1.0
0
10 50
V
GS
= 4 v
V
GS
= 10 v
60
V
DS
= 10 v
I
D
= 1 毫安
100 150
0.5
1000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
10 100 1 m 10 m 100 m 1 10 100 1000
pw - 脉冲波 宽度 - s
r
th(t)
- 瞬时 热的 阻抗 - ˚c/w
瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
rth (ch-c) = 3.75 ˚c/w
单独的 脉冲波
rth (ch-一个) = 62.5 ˚c/w
搏动
µµ
30
10
50
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