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资料编号：1057230
 
资料名称：2SK2411
 
文件大小： 115303K
   
说明：
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2sk2411, 2sk2411-z
6
单独的 avalanche 活力 vs.
inductive 加载
单独的 avalanche 活力
减额 因素
100
10
1.0
10 100 1 m 10 m
l - inductive 加载 - h
V
DD
= 30 v
V
GS
= 20 v
→
0
R
G
= 25
Ω
I
作
= 30 一个
E
作
= 90 mj
100
80
60
40
20
0
25 50 75 100 125 150
开始 t
ch
- 开始 频道 温度 - ˚c
V
DD
= 30 v
R
G
= 25
Ω
V
GS
= 20 v
→
0
I
作
≤
30 一个
I
作
- 单独的 avalanche 活力 - mj
dt - 活力 减额 因素 - %
µµ
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