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资料编号:1057240
 
资料名称:2SK2275
 
文件大小: 108202K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2SK2275
4
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
pw - 脉冲波 宽度 - s
r
th (t)
- 瞬时 热的 阻抗 -
1 000
100
10
1.0
0.1
0.01
0.001
10 100 1 m 10 m 100 m 1 10 100 1 000
T
C
= 25 °c
单独的 脉冲波
R
th (ch-一个)
= 62.5 (°c/w)
R
th (ch-c)
= 3.125 (°c/w)
V
DS
= 20 v
搏动
向前 转移 admittance vs.
流 电流
120
30
I
D
- 流 电流 - 一个
fs
- 向前 转移 admittance - s
525
V
GS
- 门 至 源 电压 - v
R
ds (在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
门 至 源 截止 电压
vs. 频道 温度
T
ch
- 频道 温度 - °c
V
gs (止)
- 门 至 源 截止 电压 - v
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
1 100
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds (在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
–50 0 50 100 150
0.3
1.0
1
0
10 15 20
1
V
DS
= 10 v
I
D
= 1ma
搏动
0.1
0.1
0.5
3.0
10
10
125 °c
75 °c
25 °c
T
一个
= – 25 °c
2
3
4
5
6
I
D
= 6 一个
3 一个
1.2 一个
2
3
4
5
0
10
V
GS
= 10 v
搏动
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
–25 25 75 125
0
µµ
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