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资料编号:1057242
 
资料名称:2SK2140
 
文件大小: 114069K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


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2sk2140, 2sk2140-z
4
2.0
流 至 源 在-状态 阻抗 vs.
门 至 源 电压
瞬时 热的 阻抗 vs. 脉冲波 宽度
pw - 脉冲波 宽度 - s
r
th (ch-c) (t)
- 瞬时 热的 阻抗 - ˚c/w
1 000
100
10
1
0.1
0.01
0.001
10 100 1 m 10 m 100 m 1 10 100 1 000
向前 转移 admittance vs.
流 电流
1.0 10
I
D
- 流 电流 - 一个
| yfs | - 向前 转移 admittance - s
4208
2.0
V
GS
- 门 至 源 电压 - (v)
R
ds (在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
门 至 源 截止 电压
vs. 频道 温度
T
ch
- 频道 温度 - ˚c
V
gs (止)
- 门 至 源 截止 电压 - v
流 至 源 在-状态
阻抗 vs. 流 电流
1.0 10 100
4.0
I
D
- 流 电流 - 一个
R
ds (在)
- 流 至 源 在-状态 阻抗 -
I
D
= 7 一个
3.5 一个
0.7 一个
–50 0 50 100 150
4.0
3.0
2.0
1.0
0
10
0.1
1.0
1.0
0
T
ch
= –25 ˚c
25 ˚c
75 ˚c
125 ˚c
V
DS
= 10 v
搏动
V
DS
= 10 v
I
D
= 1 毫安
搏动
12 16
搏动
V
GS
= 10 v
20 v
µµ
R
th (ch-一个)
= 83.3 ˚c/w
R
th (ch-c)
= 1.67 ˚c/w
T
C
= 25 ˚c
单独的 脉冲波
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