¡ 半导体
MSM6242B
28
参数 标识 情况 最小值
单位
CS
1
设置 向上 时间
地址 设置 向上 时间
地址 支撑 时间
ale 脉冲波 宽度
ale 在之前 写
写 脉冲波 宽度
ale 之后 写
数据 设置 向上 时间
数据 支撑 时间
CS
1
支撑 时间
RD
/
WR
恢复 时间
—
t
C1S
t
作
t
AH
t
AW
t
ALW
t
WW
t
WAL
t
DS
t
DH
t
C1H
t
RCV
ns
(2) 写 模式 (和 使用 的 ale)
(v
DD
= 5v ± 10%, ta = -40 ~ +85°c)
最大值
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1000
25
25
40
10
120
20
100
10
1000
60
—
—
—
—
—
—
—
—
t
AW
t
C1H
t
C1S
t
DS
V
IH2
–
V
IL1
–
V
IH1
–
,,,,,,,
,,, ,,,
t
DH
t
WW
t
WA
,,,,,
,,,
,,,
,,,,
,,,
,,,,
,,,
,,,,
,,,
V
IH1
–
V
IH1
–
V
IL1
–
CS
1
一个
0
~ 一个
3
CS
0
WR
D
0
~ d
3
(输入)
V
IH1
= 2.2v
V
IL1
= 0.8v
V
IH2
= 4/5v
DD
V
IL2
= 1/5v
DD
图示 4. 写 循环 — (ale = v
DD
)
,,,,,,,,,,,,,
,,,,,,,,,,,
t
RCV
参数 标识 情况 最小值
单位
CS
1
设置 向上 时间
CS
1
支撑 时间
—
切换 特性
t
C1S
t
C1H
ns
(1) 写 模式 (ale = v
DD
)
(v
DD
= 5v ± 10% ta = -40 至 +85°c)
最大值
地址 稳固的 在之前
写
地址 稳固的 之后
写
写 脉冲波 宽度
数据 设置 向上 时间
数据 支撑 时间
RD
/
WR
恢复 时间
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
t
AW
t
WA
t
WW
t
DS
t
DH
t
RCV
1000
1000
20
10
120
100
10
60
—
—
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