热的 数据
至-39 至-18
R
thj-情况
R
t hj- 一个mb
热的 阻抗 接合面-情况 最大值
热的 阻抗 接合面-包围的 最大值
58.3
292
97.3
437.5
o
c/w
o
c/w
电的 特性
(t
情况
=25
o
C 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
Collect或者 截-的f
电流 (i
E
=0)
V
CB
=-50v
V
CB
=-50v T
情况
=150
o
C
-20
-20
nA
µ
一个
I
CEX
Collect或者 截-的f
电流 (v
是
= -0.5v)
V
CE
= -30 V -50 nA
I
BEX
根基 截-止 电流
(v
是
= -0.5v)
V
CE
= -30 V -50 nA
V
(br)cbo
∗
Collect或者-根基
损坏 Voltage
(i
E
=0)
I
C
=-10
µ
一个-60v
V
(br)ceo
∗
Collect或者-emitter
损坏 Voltage
(i
B
=0)
I
C
=-10ma -40 V
V
(br)ebo
∗
发射级-根基
损坏 Voltage
(i
C
=0)
I
E
=-10
µ
一个-5v
V
ce(sat)
∗
Collect或者-emitter
饱和 电压
I
C
=-150ma I
B
=-15ma
I
C
=-500ma I
B
=-50ma
-0.4
-1.6
V
V
V
是(s在)
∗
根基-emitter
饱和 电压
I
C
=-150ma I
B
=-15ma
I
C
=-500ma I
B
=-50ma
-1.3
-2.6
V
V
h
FE
∗
直流 电流 Gain I
C
=-0.1ma V
CE
=-10v
I
C
=-1ma V
CE
=-10v
I
C
=-10ma V
CE
=-10v
I
C
=-150ma V
CE
=-10v
I
C
=-500ma V
CE
=-10v
35
50
75
100
30
300
f
T
Transition Frequency V
CE
=-20v f=100MHz
I
C
=-50ma
200 MHz
C
EBO
发射级 根基
电容
I
C
=0 V
EB
= -2 V f = 1MHz 30 pF
C
CBO
Collect或者 根基
电容
I
E
=0 V
CB
= -10 V f = 1MHz 8 pF
t
d
延迟 Time V
CC
=-30v I
C
= -150 m一个
I
B1
=-15ma
10 ns
t
r
上升 时间 V
CC
=-30v I
C
= -150 m一个
I
B1
=-15ma
40 ns
t
s
Storage 时间 V
CC
=-6v I
C
= -150 毫安
I
B1
=-i
B2
=-15ma
80 ns
t
f
下降 时间 V
CC
=-6v I
C
= -150 毫安
I
B1
=-i
B2
=-15ma
30 ns
∗
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环
≤
1%
2n2905/2n2907
2/5
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