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资料编号:1060115
 
资料名称:TIP35C
 
文件大小: 67334K
   
说明
 
介绍:
COMPLEMENTARY SILICON HIGH POWER TRANSISTORS
 
 


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热的 数据
R
thj-情况
热的 阻抗 接合面-情况 最大值 1
o
c/w
电的 特性
(t
情况
= 25
o
c 除非 否则 指定)
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
I
CBO
集电级 截-止
电流 (i
B
= 0)
V
CB
= 60 v 1 毫安
I
EBO
发射级 截-止 电流
(i
C
= 0)
V
EB
= 5 v 1 毫安
I
CES
集电级 截-止
电流 (v
= 0)
V
CE
sustaining 电压
(i
B
= 0)
I
C
= 30 毫安
TIP36B
* 直流 电流 增益 I
C
= 1.5 一个 v
CE
= 4 v
I
C
= 15 一个 v
CE
= 4 v
25
10 50
V
ce(sat)
* 集电级-发射级
饱和 电压
I
C
= 15 一个 i
B
= 1.5 一个
I
C
= 25 一个 i
B
= 5 一个
1.8
4
V
V
是(在)
* 根基-发射级 电压 I
C
= 15 一个 v
CE
= 4 v
I
C
= 25 一个 v
CE
= 4 v
2
4
V
V
f
T
转变 频率 I
C
= 1 一个 v
CE
= 10 v
f = 1 mhz
3 MHz
h
fe
小 信号 电流
增益
I
C
= 1 一个 v
CE
= 10 v
f = 1 khz
25
搏动: 脉冲波 持续时间 = 300
µ
s, 职责 循环
2 %
为 pnp 类型 电压 和 电流 值 是 负的.
tip35c/tip36b/tip36c
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