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重置/块 Temporary Unprotect (rp).
这 re-
设置/块 Temporary Unprotect 管脚 能 是 使用 至
应用 一个 硬件 重置 至 这 记忆 或者 至 tem-
porarily unprotect 所有 blocks 那 有 被 pro-
tected.
一个 硬件 重置 是 达到 用 支持 重置/
块 Temporary Unprotect 低, V
IL
, 为 在 least
t
PLPX
. 之后 重置/块 Temporary Unprotect
变得 高, V
IH
, the 记忆 将 是 准备好 为 总线
读 和 总线 写 行动 之后 t
PHEL
或者 t
PLYH
, whichever occurs last. 看 表格 13 和
图示 10, 重置/temporary Unprotect 交流 char-
acteristics 为 更多 详细信息.
支持 RP 在 V
ID
将 temporarily unprotect 这
保护 blocks 在 这 记忆. 程序 和
擦掉 行动 在 所有 blocks 将 是 可能.
这 转变 从 V
IH
至 V
ID
必须 是 slower 比
t
PHPHH
.
重置/块 Temporary Unprotect 能 是 left un-
连接. 一个 弱 内部的 拉-向上 电阻 en-
sures 那 这 记忆 总是 运作 correctly.
V
CC
供应 电压.
这 V
CC
供应 电压
供应 这 电源 为 所有 行动 (读, pro-
gram, 擦掉 等.).
这 Command 接口 是 无能 当 这 V
CC
供应 电压 是 较少 比 这 Lockout 电压,
V
LKO
. 这个 阻止 总线 写 行动 从 交流-
cidentally 损害的 这 数据 在 电源 向上,
电源 向下 和 电源 surges. 如果 这 程序/
擦掉 控制 是 程序编制 或者 erasing 在
这个 时间 然后 这 运作 aborts 和 这 memo-
ry 内容 正在 改变 将 是 invalid.
一个 0.1
µ
F 电容 应当 是 连接 在
这 V
CC
供应 电压 管脚 和 这 V
SS
地面
管脚 至 分离 这 电流 surges 从 这 电源
供应. 这 PCB 追踪 widths 必须 是 sufficient 至
carry 这 电流 必需的 在 程序 和
擦掉 行动, I
CC3
.
Vss 地面.
这 V
SS
地面 是 这 涉及
为 所有 电压 度量.
总线 行动
那里 是 five 标准 总线 行动 那 控制
这 设备. 这些 是 总线 读, 总线 写, 输出-
放 使不能运转, 备用物品 和 自动 备用物品. 看
表格 4, 总线 行动, 为 一个 summary. 典型地
glitches 的 较少 than 5ns 在 碎片 使能 或者 写
使能 是 ignored 用 这 记忆 和 做 不 af-
fect 总线 行动.
总线 读.
总线 读 行动 读 从 这
记忆 cells, 或者 明确的 寄存器 在 这 com-
mand 接口. 一个 有效的 总线 读 运作 在-
volves 设置 这 desired 地址 在 这 地址
输入, 应用 一个 低 信号, V
IL
, to 碎片 使能
和 输出 使能 和 keeping 写 使能
高, V
IH
. 这 数据 输入/输出 将 输出 这
值, 看 图示 7, 读 模式 交流 波形,
和 表格 11, 读 交流 特性, 为 详细信息
的 当 这 输出 变为 有效的.
总线 写.
总线 写 行动 写 至 这
Command 接口. 一个 有效的 总线 写 运作
begins 用 设置 这 desired 地址 在 这 ad-
dress 输入. 这 地址 输入 是 latched 用
这 Command 接口 在 这 下落 边缘 的 碎片
使能 或者 写 使能, whichever occurs last.
这 数据 输入/输出 是 latched 用 这 com-
mand 接口 在 这 rising 边缘 的 碎片 使能
或者 写 使能, whichever occurs 第一. 输出 en-
能 必须 仍然是 高, V
IH
, 在 这 全部的 总线
写 运作. 看 计算数量 8 和 9, 写 交流
波形, 和 Tables 12 和 13, 写 交流
表格 3. 块 地址
大小 (kwords) 地址 范围
32 8000h-ffffh
16 4000h-7fffh
4 3000h-3fffh
4 2000h-2fffh
8 0000h-1fffh
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