M29F040B
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表格 3. 块 地址
Size (kbytes) 地址 范围
64 70000h-7ffffh
64 60000h-6ffffh
64 50000h-5ffffh
64 40000h-4ffffh
64 30000h-3ffffh
64 20000h-2ffffh
64 10000h-1ffffh
64 00000h-0ffffh
总线 行动
那里 是 five 标准 总线 行动 那 控制
这 设备. 这些 是 总线 读, 总线 写, 输出-
放 使不能运转, 备用物品 和 自动 备用物品. 看
表格 4, 总线 行动, 为 一个 summary. 典型地
glitches 的 较少 比 5ns 在 碎片 使能 或者 写
使能 是 ignored 用 这 记忆 和 做 不 af-
fect 总线 行动.
总线 读.
总线 读 行动 读 从 这
记忆 cells, 或者 明确的 寄存器 在 这 com-
mand 接口. 一个 有效的 总线 读 运作 在-
volves 设置 这 desired 地址 在 这 地址
输入, 应用 一个 低 信号, V
IL
, 至 碎片 使能
和 输出 使能 和 keeping 写 使能
高, V
IH
. 这 数据 输入/输出 将 输出 这
值, 看 图示 7, 读 模式 交流 波形,
和 表格 11, 读 交流 特性, 为 详细信息
的 当 这 输出 变为 有效的.
总线 写.
总线 写 行动 写 至 这
Command 接口. 一个 有效的 总线 写 运作
begins 用 设置 the desired 地址 在 这 ad-
dress 输入. 这 地址 Inputs 是 latched 用
这 Command 接口 在 这 下落 边缘 的 碎片
使能 或者 写 使能, whichever occurs last.
这 数据 输入/输出 是 latched 用 这 com-
mand 接口 在 这 rising 边缘 的 碎片 使能
或者 写 使能, whichever occurs 第一. 输出 en-
能 必须 仍然是 高, V
IH
, 在 这 全部的 总线
写 运作. 看 计算数量 8 和 9, 写 交流
波形, 和 Tables 12 和 13, 写 交流
特性, 为 详细信息 的 这 定时 需要-
ments.
输出 使不能运转.
这 数据 输入/输出 是 在
这 高 阻抗 状态 当 输出 使能 是
高, V
IH
.
备用物品.
当 碎片 使能 是 高, V
IH
, 这
数据 输入/输出 管脚 是 放置 在 这 高-
阻抗 状态 和 这 供应 电流 是 re-
duced 至 这 备用物品 水平的.
当 碎片 使能 是 在 V
IH
这 供应 电流 是
减少 至 这 TTL 备用物品 供应 电流, I
CC2
.
至 更远 减少 这 供应 电流 至 这 CMOS
备用物品 供应 电流, I
CC3
, 碎片 使能 应当
是 使保持 在里面 V
CC
±
0.2v. 为 备用物品 电流
水平 看 表格 10, 直流 特性.
在 程序 或者 擦掉 行动 这 记忆
将 continue 至 使用 这 程序/擦掉 供应
电流, I
CC4
, 为 程序 或者 擦掉 行动 un-
til 这 运作 完成.
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