绝对 最大 比率
(注释 6, 8)
如果 军队/太空 指定 设备 是 必需的,
请 联系 这 国家的 半导体 销售 办公室/
分发 为 有效性 和 规格.
积极的 供应 电压 +8V
负的 供应 电压 −8V
顶峰 输出 电流 20 毫安
差别的 输入 电压
±
5V
输入 电压 V
+
≥
V
在
≥
V
−
静电释放 容忍 (便条 9) 1600V
运行 温度 范围
LM160 −55˚C 至 +125˚C
LM360 0˚C 至 +70˚C
存储 温度 范围 −65˚C 至 +150˚C
含铅的 温度
(焊接, 10 秒.) 260˚C
焊接 信息
双-在-线条 包装
焊接 (10 秒) 260˚C
小 外形 包装
Vapor 阶段 (60 秒) 215˚C
Infrared (15 秒) 220˚C
看 一个-450 “Surface 挂载 方法 和 它们的 效应
在 产品 Reliability” 为 其它 方法 的 焊接
表面 挂载 设备.
电的 特性
(t
最小值
≤
T
一个
≤
T
最大值
)
参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
运行 情况
供应 电压 V
CC
+
4.5 5 6.5 V
供应 电压 V
CC
−
−4.5 −5 −6.5 V
输入 补偿 电压 R
S
≤
200
Ω
25mV
输入 补偿 电流 0.5 3 µA
输入 偏差 电流 520µA
输出 阻抗 (也 输出) V
输出
=
V
OH
100
Ω
回馈 时间 T
一个
=
25˚c, V
S
=
±
5V (注释 2, 7) 13 25 ns
T
一个
=
25˚c, V
S
=
±
5V (注释 3, 7) 12 20 ns
T
一个
=
25˚c, V
S
=
±
5V (注释 4, 7) 14 ns
回馈 时间 区别 在 输出
(t
pd
的 +V
IN1
)−(t
pd
的 −V
IN2
)t
一个
=
25˚C (注释 2, 7) 2 ns
(t
pd
的 +V
IN2
)−(t
pd
的 −V
IN1
)t
一个
=
25˚C (注释 2, 7) 2 ns
(t
pd
的 +V
IN1
)−(t
pd
的 +V
IN2
)t
一个
=
25˚C (注释 2, 7) 2 ns
(t
pd
的 −V
IN1
)−(t
pd
的 −V
IN2
)t
一个
=
25˚C (注释 2, 7) 2 ns
输入 阻抗 f
=
1 MHz 17 k
Ω
输入 电容 f
=
1 MHz 3 pF
平均 温度 系数 的 R
S
=
50
Ω
8 µv/˚c
输入 补偿 电压
平均 温度 系数 的 7 na/˚c
输入 补偿 电流
一般 模式 输入 电压 范围 V
S
=
±
6.5v
±
4
±
4.5 V
差别的 输入 电压 范围
±
5V
输出 高 电压 (也 输出) I
输出
=
−320 µa, V
S
=
±
4.5v 2.4 3 V
输出 低 电压 (也 输出) I
下沉
=
6.4 毫安 0.25 0.4 V
积极的 供应 电流 V
S
=
±
6.5v 18 32 毫安
负的 供应 电流 V
S
=
±
6.5v −9 −16 毫安
便条 2:
回馈 时间 量过的 从 这 50
%
要点 的 一个 30 mvp-p 10 MHz sinusoidal 输入 至 这 50
%
要点 的 这 输出.
便条 3:
回馈 时间 量过的 从 这 50
%
要点 的 一个 2 vp-p 10 MHz sinusoidal 输入 至 这 50
%
要点 的 这 输出.
便条 4:
回馈 时间 量过的 从 这 开始 的 一个 100 mV 输入 步伐 和 5 mV overdrive 至 这 时间 当 这 输出 crosses 这 逻辑 门槛.
便条 5:
典型 热的 阻抗 是 作 跟随:
Cavity 插件 (j):
θ
jA
135˚c/w 标头 (h)
θ
jA
165˚c/w (安静的 空气)
模塑的 插件 (n):
θ
jA
130˚c/w 67˚c/w (400 lf/最小值 空气 流动)
θ
jC
25˚c/w
便条 6:
这 设备 将 是 损坏 如果 使用 在之外 这 最大 比率.
便条 7:
度量 是 制造 在 交流 测试 电路, 输出
=
1
便条 8:
谈及 至 RETS 160X 为 lm160h, lm160j-14 和 LM160J 军队 规格.
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