首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:1061634
 
资料名称:uPA572T
 
文件大小: 66222K
   
说明
 
介绍:
MOS Field Effect Transistor
 
 


: 点此下载
  浏览型号uPA572T的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号uPA572T的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号uPA572T的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号uPA572T的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号uPA572T的Datasheet PDF文件第6页
6
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
µ
PA572T
2
电的 特性 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
= 0 1.0
µ
一个
门 泄漏 电流 I
GSS
V
GS
=
±
5 v, v
DS
= 0
±
3.0
µ
一个
门 截-止 电压 V
gs(止)
V
DS
流 至 源 在-状态 阻抗
R
ds(在)1
V
GS
= 2.5 v, i
D
= 1 毫安 7 13
流 至 源 在-状态 阻抗
R
ds(在)2
V
GS
= 4.0 v, i
D
= 10 毫安 5 8
输入 电容 C
iss
V
DS
= 5.0 v, v
GS
= 0, f = 1 mhz 16 pF
输出 电容 C
oss
14 pF
反转 转移 电容 C
rss
2pF
转变-在 延迟 时间 t
d(在)
V
DD
= 5 v, i
D
= 10 毫安, v
gs(在)
= 5 v, 15 ns
上升 时间 t
r
R
G
= 1 s
职责 循环
1 %
µ
0
V
GS
电压
波形
电流
波形
V
GS
I
D
0
0
10 %
V
gs(在)
I
D
90 %
t
d(在)
t
r
t
t
t
d(止)
t
r
10 % 10 %
90 %
90 %
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com