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1996
数据 薄板
mos 地方 效应 晶体管
µ
PA602T
这
µ
pa602t 是 一个 迷你-模型 设备 提供 和 二
mos 场效应晶体管 电路. 它 achieves 高-密度 挂载 和
saves 挂载 costs.
特性
• 二 mos 场效应晶体管 电路 在 包装 这 一样 大小 作
sc-59
• complement 至
µ
PA603T
• 自动 挂载 supported
绝对 最大 比率 (t
一个
= 25 ˚c)
参数 标识 比率 单位
流 至 源 电压 V
DSS
50 V
门 至 源 电压 V
GSS
±
20 V
流 电流 (直流) I
d(直流)
100 毫安
流 电流 (脉冲波) I
d(脉冲波)
*
200 毫安
总的 电源 消耗 P
T
300 (总的) mW
频道 温度 T
ch
150 ˚C
存储 温度 T
stg
–55 至 +150 ˚C
*
PW
≤
10 ms, 职责 循环
≤
50 %
文档 非. g11249ej1v0ds00 (1st 版本)
日期 发行 六月 1996 p
打印 在 日本
包装 维度 (在 毫米)
0.32
+0.1
–0.05
1.5
2.8 ±0.2
0.95 0.95
1.9
2.9 ±0.2
0.16
+0.1
–0.06
0.8
1.1 至 1.4
0 至 0.1
0.65
+0.1
–0.15
管脚 连接 (顶 视图)
n-频道 mos 场效应晶体管 (6-管脚 2 电路)
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