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LTC1622
为 大多数 产品, 一个 30k 电阻 是 建议的 为 r1.
至 阻止 偏离 pickup, 一个 100pf 电容 是 建议的
横过 r1 located 关闭 至 ltc1622.
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
模式 这 平均 输出 电流 flows 通过 l 但是
是 “chopped” 在 这 p-频道 场效应晶体管 在 序列
和 r
SENSE
和 这 输出 二极管. 这 场效应晶体管 r
ds(在)
加 r
SENSE
multiplied 用 职责 循环 能 是 summed
和 这 抵制 的 l 和 r
SENSE
至 获得 i
2
R
losses.
4. 这 输出 二极管 是 一个 主要的 源 的 电源 丧失 在
高 电流 和 gets worse 在 高 输入 电压.
这 二极管 丧失 是 计算 用 乘以 这 向前
电压 时间 这 二极管 职责 循环 multiplied 用 这
加载 电流. 为 例子, 假设 一个 职责 循环 的
50% 和 一个 肖特基 二极管 向前 电压 漏出 的
0.4v, 这 丧失 增加 从 0.5% 至 8% 作 这 加载
电流 增加 从 0.5a 至 2a.
5. 转变 losses 应用 至 这 外部 场效应晶体管 和
增加 在 高等级的 运行 发生率 和 输入
电压. 转变 losses 能 是 estimated 从:
转变 丧失 = 2(v
在
)
2
I
o(最大值)
C
RSS
(f)
其它 losses 包含 c
在
和 c
输出
等效串联电阻 dissipative
losses, 和 inductor 核心 losses, 一般地 账户 为
较少 比 2% 总的 额外的 丧失.
run/软 开始 函数
这 run/ss 管脚 是 一个 双 目的 管脚 那 提供 这 软
开始 函数 和 一个 意思 至 shut 向下 这 ltc1622. 软
开始 减少 输入 surge 电流 从 v
在
用 gradually
增加 这 内部的 电流 限制. 电源 供应 se-
quencing 能 也 是 accomplished 使用 这个 管脚.
一个 内部的 0.75
µ
一个 电流 源 charges 向上 一个 外部
电容 c
SS
. 当 这 电压 在 这 run/ss reaches
0.7v 这 ltc1622 begins 运行. 作 这 电压 在
run/ss 持续 至 ramp 从 0.7v 至 1v, 这 内部的
电流 限制 是 也 ramped 在 一个 均衡的 直线的 比率.
这 电流 限制 begins near 0a (在 v
run/ss
= 0.7v) 和
ends 在 0.1/r
SENSE
(v
run/ss
≥
1.8v). 这 输出 电流
因此 ramps 向上 慢速地, 减少 这 开始 surge 电流
必需的 从 这 输入 电源 供应. 如果 这 run/ss 有
被 牵引的 所有 这 方法 至 地面, 那里 将 是 一个 延迟
在之前 这 电流 限制 开始 增加 和 是 给 用:
3
V
FB
V
输出
LTC1622
100pF
R1
1622 f04
R2
图示 4. 设置 输出 电压
效率 仔细考虑
这 效率 的 一个 切换 调整器 是 equal 至 这
输出 电源 分隔 用 这 输入 电源 时间 100%. 它 是
常常 有用的 至 analyze 单独的 losses 至 决定 what
是 限制的 这 效率 和 这个 改变 将 生产
这 大多数 改进. 效率 能 是 表示 作:
效率 = 100% – (
η
1 +
η
2 +
η
3 + ...)
在哪里
η
1,
η
2, 等 是 这 单独的 losses 作 一个 百分比-
age 的 输入 电源.
虽然 所有 dissipative elements 在 这 电路 生产
losses, 四 主要的 来源 通常地 账户 为 大多数 的 这
losses 在 ltc1622 电路: 1) ltc1622 直流 偏差 电流,
2) 场效应晶体管 门 承担 电流, 3) i
2
r losses 和 4)
电压 漏出 的 这 输出 二极管.
1. 这 v
在
电流 是 这 直流 供应 电流, 给 在 这
电的 特性, 那 excludes 场效应晶体管 驱动器
和 控制 电流. v
在
电流 结果 在 一个 小 丧失
这个 增加 和 v
在
.
2. 场效应晶体管 门 承担 电流 结果 从 切换
这 门 电容 的 这 电源 场效应晶体管. 各自 时间
一个 场效应晶体管 门 是 切换 从 低 至 高 至 低
又一次, 一个 小包装板盒 的 承担 dq moves 从 v
在
至 地面.
这 结果 dq/dt 是 一个 电流 输出 的 v
在
这个 是
典型地 更 大 比 这 直流 供应 电流. 在
持续的 模式, i
GATECHG
= f(qp).
3. I
2
r losses 是 predicted 从 这 直流 抵制 的 这
场效应晶体管, inductor 和 电流 调往. 在 持续的
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