9
lt1160/lt1162
电源 场效应晶体管 选择
自从 这 lt1160 (或者 1/2 lt1162) 本质上 保护 这
顶 和 bottom mosfets 从 同时发生的 传导,
那里 是 非 大小 或者 相一致 constraints. 因此 selec-
tion 能 是 制造 为基础 在 这 运行 电压 和
R
ds(在)
(所需的)东西. 这 场效应晶体管 bv
DSS
应当 是
更好 比 这 hv 和 应当 是 增加 至 approxi-
mately (2)(hv) 在 harsh 环境 和 frequent 故障
情况. 为 这 lt1160 最大 运行 hv 供应
的 60v, 这 场效应晶体管 bv
DSS
应当 是 从 60v 至 100v.
这 场效应晶体管 r
ds(在)
是 指定 在 t
J
= 25
°
c 和 是
一般地 选择 为基础 在 这 运行 效率 re-
quired 作 长 作 这 最大 场效应晶体管 接合面 tem-
perature 是 不 超过. 这 消耗 当 各自
场效应晶体管 是 在 是 给 用:
p = d(i
DS
)
2
(1+
∂
)r
ds(在)
在哪里 d 是 这 职责 循环 和
∂
是 这 增加 在 r
ds(在)
在 这 预期 场效应晶体管 接合面 温度. 从 这个
等式 这 必需的 r
ds(在)
能 是 获得:
R
P
DI
DS 在
DS
(
)
=
()
+
()
2
1
∂
为 例子, 如果 这 场效应晶体管 丧失 是 至 是 限制 至 2w
当 运行 在 5a 和 一个 90% 职责 循环, 这 必需的
R
ds(在)
将 是 0.089
Ω
/(1 +
∂
). (1 +
∂
) 是 给 为 各自
场效应晶体管 在 这 表格 的 一个 normalized r
ds(在)
vs tempera-
ture 曲线, 但是
∂
= 0.007/
°
c 能 是 使用 作 一个 approxima-
tion 为 低 电压 mosfets. 因此, 如果 t
一个
= 85
°
c 和 这
有 热温 sinking 有 一个 热的 阻抗 的 20
°
c/w,
这 场效应晶体管 接合面 温度 将 是 125
°
c 和
∂
= 0.007(125 – 25) = 0.7. 这个 意思 那 这 必需的
R
ds(在)
的 这 场效应晶体管 将 是 0.089
Ω
/1.7 = 0.0523
Ω
,
这个 能 是 satisfied 用 一个 irfz34 制造的 用
国际的 整流器.
转变 losses 结果 从 这 电源 dissipated 在 各自
场效应晶体管 在 这 时间 它 是 transitioning 从 止 至 在,
或者 从 在 至 止. 这些 losses 是 均衡的 至 (f)(hv)
2
和 相异 从 微不足道的 至 正在 一个 限制的 因素 在
运行 频率 在 一些 高 电压 产品.
APPLICATIONs iN为MATION
WUU
U
paralleling mosfets
当 这 在之上 calculations 结果 在 一个 更小的 r
ds(在)
比
是 economically feasible 和 一个 单独的 场效应晶体管, 二 或者
更多 mosfets 能 是 paralleled. 这 mosfets 将
本质上 share 这 电流 符合 至 它们的 r
ds(在)
比率 作 长 作 它们 是 thermally 连接 (e.g., 在 一个
一般 热温 下沉). 这 lt1160 顶 和 bottom 驱动器
能 各自 驱动 five 电源 mosfets 在 并行的 和 仅有的 一个
小 丧失 在 切换 speeds (看 典型 效能
特性). 一个 低 值 电阻 (10
Ω
至 47
Ω
) 在
序列 和 各自 单独的 场效应晶体管 门 将 是 必需的
至 “decouple” 各自 场效应晶体管 从 它的 neighbors 至 阻止
高 频率 振动 (咨询 生产者’s rec-
ommendations). 如果 门 解耦 电阻器 是 使用 这
相应的 门 反馈 管脚 能 是 连接 至 任何
一个 的 这 门 作 显示 在 图示 1.
驱动 多样的 mosfets 在 并行的 将 restrict 这
运行 频率 至 阻止 overdissipation 在 这
lt1160 (看 这 下列的 门 承担 和 驱动器 dissi-
pation).
门 承担 和 驱动器 消耗
一个 有用的 指示信号 的 这 加载 提交 至 这 驱动器 用 一个
电源 场效应晶体管 是 这 总的 门 承担 q
G
, 这个 包含
这 额外的 承担 必需的 用 这 门-至-流 摆动.
Q
G
是 通常地 指定 为 v
GS
= 10v 和 v
DS
= 0.8v
ds(最大值)
.
当 这 供应 电流 是 量过的 在 一个 切换
应用, 它 将 是 大 比 给 用 这 直流 电的
特性 因为 的 这 额外的 供应 电流
有关联的 和 sourcing 这 场效应晶体管 门 承担:
II
dQ
dt
dQ
dt
供应 直流
G
顶
G
BOTTOM
=+
+
门 dr
门 fb
LT1160
R
G
*
R
G
*
*optional 10
Ω
1160 f01
图示 1. paralleling mosfets
: 点此下载
