MC74HC4538A
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3
最大 比率
(便条 1)
标识 参数 值 单位
V
CC
直流 供应 电压
0.5 至
7.0 V
V
I
直流 输入 电压
0.5
V
I
V
CC
0.5 V
V
O
直流 输出 电压 (便条 2)
0.5
V
O
V
CC
0.5 V
I
IK
直流 输入 二极管 电流 一个, b, 重置
C
X
, r
X
20
30
毫安
I
OK
直流 输出 二极管 电流
25 毫安
I
O
直流 输出 下沉 电流
25 毫安
I
CC
直流 供应 电流 每 供应 管脚
100 毫安
I
地
直流 地面 电流 每 地面 管脚
100 毫安
T
STG
存储 温度 范围
65 至
150
C
T
L
含铅的 温度, 1 mm 从 情况 为 10 秒 260
C
T
J
接合面 温度 下面 偏差
150
C
JA
热的 阻抗 PDIP
SOIC
TSSOP
78
112
148
c/w
P
D
电源 消耗 在 安静的 空气 在 85
C PDIP
SOIC
TSSOP
750
500
450
mW
MSL 潮气 敏锐的 水平的 1
F
R
flammability 比率 oxygen index: 30% – 35% ul–94–vo (0.125 在)
V
静电释放
静电释放 承受 电压 人 身体 模型 (便条 3)
机器 模型 (便条 4)
charged 设备 模型 (便条 5)
>2000
>100
>500
V
I
Latch–Up
latch–up 效能 在之上 v
CC
和 在下 地 在 85
c (便条 6)
300 毫安
1. 绝对 最大 持续的 比率 是 那些 值 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现. 扩展 暴露 至 这些
情况 或者情况 在之外 那些 表明 将 反而 影响 设备 可靠性. 函数的 运作 下面 绝对 maximum–rated
情况 是 不 暗指.
2. I
O
绝对 最大 比率 必须 是 observed.
3. 测试 至 eia/jesd22–a114–a.
4. 测试 至 eia/jesd22–a115–a.
5. 测试 至 jesd22–c101–a.
6. 测试 至 eia/jesd78.
7. 为 高 频率 或者 重的 加载 仔细考虑, 看 这 在 semiconductor high–speed cmos 数据 书 (dl129/d).
推荐 运行 情况
标识 参数 最小值 最大值 单位
V
CC
直流 供应 电压 (关联 至 地) 3.0* 6.0 V
V
在
, v
输出
直流 输入 电压, 输出 电压 (关联 至 地) 0 V
CC
V
T
一个
运行 温度, 所有 包装 类型 –55 +125
C
t
r
, t
f
输入 上升 和 下降 时间 V
CC
= 2.0 v
(图示 7) V
CC
= 4.5 v
V
CC
= 6.0 v
一个 或者 b (图示 5)
0
0
0
–
1000
500
400
非 限制
ns
R
x
外部 定时 电阻 V
CC
< 4.5 v
V
CC
≥
4.5 v
1.0
2.0
†
†
k
C
x
外部 定时 电容 0 †
F
*the hc4538a 将 函数 在 2.0 v 但是 为 最佳的 pulse–width 稳固, v
CC
应当 是 在之上 3.0 v.
†这 最大 容许的 值 的 r
x
和 c
x
是 一个 函数 的 这 泄漏 的 电容 c
x
, 这 泄漏 的 这 hc4538a, 和 泄漏 预定的 至 板 布局
和 表面 阻抗. 为 大多数 产品, c
x
/r
x
应当 是 限制 至 一个 最大 值 的 10
f/1.0 M
. 值 的 c
x
>1.0
f 将 导致 一个
问题 在 电源 向下 (看 电源 向下 仔细考虑). susceptibility 至 externally induced 噪音 信号 将 出现 为 r
x
>1.0m
.
8. unused 输入 将 不 是 left 打开. 所有 输入 必须 是 系 至 一个 high–logic 电压 水平的 或者 一个 low–logic 输入 电压 水平的.
9. 信息 在 典型 参数 值 能 是 建立 在 这 在 semiconductor high–speed cmos 数据 书 (dl129/d).
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