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半导体组 5 jan-10-1997 bsm 20 gd 60 dn2 典型值输出特性 I C = f (v CE ) 参数: t p = 80 µs, T j = 25 °c 0 1 2 3 V 5 V CE 0 5 10 15 20 25 30 一个 40 I C 17V 15V 13V 11V 9V 7V 典型值输出特性 I C = f (v CE ) 参数: t p = 80 µs, T j = 125 °c 0 1 2 3 V 5 V CE 0 5 10 15 20 25 30 一个 40 I C 17V 15V 13V 11V 9V 7V 典型值转移特性 I C = f (v GE ) 参数: t p = 80 µs, V CE = 20 v 0 2 4 6 8 10 V 14 V GE 0 5 10 15 20 25 30 一个 40 I C

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