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bc 846 ... bc 850
半导体 组 2
最大 比率
参数 标识
bc 846
单位
集电级-发射级 电压
V
CE0
65 V
集电级-根基 电压
V
CB0
80
发射级-根基 电压
V
EB0
集电级 电流
I
C
毫安
顶峰 发射级 电流
I
EM
总的 电源 消耗,
T
S
= 71 ˚c
P
tot
mW
接合面 温度
T
j
˚C
存储 温度 范围
T
stg
– 65 … + 150
热的 阻抗
接合面 - 包围的
1)
R
th ja
≤
310 k/w
顶峰 集电级 电流
I
CM
顶峰 根基 电流
I
BM
bc 847
bc 850
45
50
100
200
330
150
200
200
值
bc 848
bc 849
30
30
集电级-发射级 电压
V
CES
80 50 30
665
接合面 - 焊接 要点
R
th js
≤
240
1)
包装 挂载 在 环氧的 pcb 40 mm
×
40 mm
×
1.5 mm/6 cm
2
cu.

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bc 846 ... bc 850 半导体组 2 最大比率参数标识 bc 846 单位集电级-发射级电压 V CE0 65 V 集电级-根基电压 V CB0 80 发射级-根基电压 V EB0 集电级电流 I C 毫安顶峰发射级电流 I EM 总的电源消耗, T S = 71 ˚c P tot mW 接合面温度 T j ˚C 存储温度范围 T stg – 65 … + 150 热的阻抗接合面 - 包围的 1) R th ja ≤ 310 k/w 顶峰集电级电流 I CM 顶峰根基电流 I BM bc 847 bc 850 45 50 100 200 330 150 200 200 值 bc 848 bc 849 30 30 集电级-发射级电压 V CES 80 50 30 665 接合面 - 焊接要点 R th js ≤ 240 1) 包装挂载在环氧的 pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm 2 cu.

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