bc 846 ... bc 850
半导体 组 3
电的 特性
1)
脉冲波 测试:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安 bc 846
bc 847, bc 850
bc 848, bc 849
V
(br)ce0
65
45
30
–
–
–
–
–
–
nA
µ
一个
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 v,
T
一个
= 150 ˚C
I
CB0
–
–
–
–
15
5
UnitValuesParameter 标识
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10
µ
一个 bc 846
bc 847, bc 850
bc 848, bc 849
V
(br)cb0
80
50
30
–
–
–
–
–
–
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 1
µ
一个 bc 846, bc 847
bc 848, bc 849, bc 850
V
(br)eb0
6
5
–
–
–
–
mV
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
CEsat
–
–
90
200
250
600
–dc 电流 增益
I
C
= 10
µ
一个,
V
CE
= 5 V
bc 846 一个, bc 847 一个, bc 848 一个
bc 846 b … bc 850 b
bc 847 c, bc 848 c, bc 849 c, bc 850 c
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 V
bc 846 一个, bc 847 一个, bc 848 一个
bc 846 b … bc 850 b
bc 847 c, bc 848 c, bc 849 c, bc 850 c
h
FE
–
–
–
110
200
420
140
250
480
180
290
520
–
–
–
220
450
800
根基-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
BEsat
–
–
700
900
–
–
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10
µ
一个,
V
是
= 0 bc 846
bc 847, bc 850
bc 848, bc 849
V
(br)ces
80
50
30
–
–
–
–
–
–
根基-发射级 电压
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 V
V
是(在)
580
–
660
–
700
770
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.