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bc 846w ... bc 850w
半导体 组 3
典型的
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
直流 电流 增益
I
C
= 10
µ
一个,
V
CE
= 5 V bc 846 aw ... bc 848 aw
bc 846 bw ... bc 850 bw
bc 847 cw ... bc 850 cw
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 V bc 846 aw ... bc 848 aw
bc 846 bw ... bc 850 bw
bc 847 cw ... bc 850 cw
V集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安 bc 846 w
bc 847 w, bc 850 w
bc 848 w, bc 849 w
V
(br)ceo
65
45
30
–
–
–
–
–
–
nA
µ
一个
集电级-根基 截止 电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 v,
T
一个
= 150 ˚c
I
CBO
–
–
–
–
15
5
UnitRatingsDescription 标识
最小值 典型值 最大值
直流 特性
V
集电级-根基 损坏 电压
1)
I
C
= 100
µ
一个 bc 846 w
bc 847 w, bc 850 w
bc 848 w, bc 849 w
V
(br)cbo
80
50
30
–
–
–
–
–
–
V发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10
µ
一个 bc 846 w, bc 847 w
bc 848 w, bc 849 w
bc 850
V
(br)ebo
6
5–
–
–
–
mV
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
CEsat
–
–
90
900
250
650
–
h
FE
140
250
480
180
290
520
–
–
–
220
450
800
V
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10
µ
一个,
V
是
= 0 bc 846 w
bc 847 w, bc 850 w
bc 848 w, bc 849 w
V
(br)cbo
80
50
30
–
–
–
–
–
–
mV
根基-发射级 饱和 电压
1)
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
CEsat
–
–
700
900
–
–
mV
根基-发射级 电压
1)
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 0.5 毫安
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 毫安
V
CEsat
580
–
660
–
700
770
–
–
–
110
200
420
1)
脉冲波 测试 :
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.

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bc 846w ... bc 850w 半导体组 3 典型的在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. 直流电流增益 I C = 10 µ 一个, V CE = 5 V bc 846 aw ... bc 848 aw bc 846 bw ... bc 850 bw bc 847 cw ... bc 850 cw I C = 2 毫安, V CE = 5 V bc 846 aw ... bc 848 aw bc 846 bw ... bc 850 bw bc 847 cw ... bc 850 cw V集电级-发射级损坏电压 I C = 10 毫安 bc 846 w bc 847 w, bc 850 w bc 848 w, bc 849 w V (br)ceo 65 45 30 – – – – – – nA µ 一个集电级-根基截止电流 V CB = 30 V V CB = 30 v, T 一个 = 150 ˚c I CBO – – – – 15 5 UnitRatingsDescription 标识最小值典型值最大值直流特性 V 集电级-根基损坏电压 1) I C = 100 µ 一个 bc 846 w bc 847 w, bc 850 w bc 848 w, bc 849 w V (br)cbo 80 50 30 – – – – – – V发射级-根基损坏电压 I E = 10 µ 一个 bc 846 w, bc 847 w bc 848 w, bc 849 w bc 850 V (br)ebo 6 5– – – – mV 集电级-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 V CEsat – – 90 900 250 650 – h FE 140 250 480 180 290 520 – – – 220 450 800 V 集电级-发射级损坏电压 I C = 10 µ 一个, V 是 = 0 bc 846 w bc 847 w, bc 850 w bc 848 w, bc 849 w V (br)cbo 80 50 30 – – – – – – mV 根基-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 V CEsat – – 700 900 – – mV 根基-发射级电压 1) I C = 2 毫安, V CE = 0.5 毫安 I C = 10 毫安, V CE = 5 毫安 V CEsat 580 – 660 – 700 770 – – – 110 200 420 1) 脉冲波测试 : t ≤ 300 µ s, D = 2 %.

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