BC857B_集成电路资料查询网

bc 856 ... bc 860
半导体 组 3
电的 特性
在
T
一个
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
vcollector-发射级 损坏 电压
I
C
= 10 毫安 bc 856
bc 857, bc 860
bc 858, bc 859
V
(br)ce0
65
45
30
–
–
–
–
–
–
nA
µ
一个
集电级 截止 电流
V
CB
= 30 V
V
CB
= 30 v,
T
一个
= 150 ˚C
I
CB0
–
–
1
–
15
4
UnitValuesParameter 标识
最小值 典型值 最大值
直流 特性
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10
µ
一个 bc 856
bc 857, bc 860
bc 858, bc 859
V
(br)cb0
80
50
30
–
–
–
–
–
–
发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 1
µ
一个
V
(br)eb0
5––
mV
集电级-发射级 饱和 电压
1)
I
C
=  10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
CEsat
–
–
75
250
300
650
–dc 电流 增益
I
C
= 10
µ
一个,
V
CE
= 5 V
bc 856 一个 … bc 859 一个
bc 856 b … bc 860 b
bc 857 c … bc 860 c
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 V
bc 856 一个 … bc 859 一个
bc 856 b … bc 860 b
bc 857 c … bc 860 c
h
FE
–
–
–
125
220
420
140
250
480
180
290
520
–
–
–
250
475
800
根基-发射级 饱和 电压
1)
I
C
=  10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
BEsat
–
–
700
850
–
–
集电级-发射级 损坏 电压
I
C
= 10
µ
一个,
V
是
= 0 bc 856
bc 857, bc 860
bc 858, bc 859
V
(br)ces
80
50
30
–
–
–
–
–
–
根基-发射级 电压
I
C
=  2 毫安,
V
CE
= 5 V
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 V
V
是(在)
600
–
650
–
750
820
1)
脉冲波 测试:
t
≤
300
µ
s,
D
= 2 %.

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

bc 856 ... bc 860 半导体组 3 电的特性在 T 一个 = 25 ˚c, 除非否则指定. vcollector-发射级损坏电压 I C = 10 毫安 bc 856 bc 857, bc 860 bc 858, bc 859 V (br)ce0 65 45 30 – – – – – – nA µ 一个集电级截止电流 V CB = 30 V V CB = 30 v, T 一个 = 150 ˚C I CB0 – – 1 – 15 4 UnitValuesParameter 标识最小值典型值最大值直流特性集电级-根基损坏电压 I C = 10 µ 一个 bc 856 bc 857, bc 860 bc 858, bc 859 V (br)cb0 80 50 30 – – – – – – 发射级-根基损坏电压 I E = 1 µ 一个 V (br)eb0 5–– mV 集电级-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 V CEsat – – 75 250 300 650 –dc 电流增益 I C = 10 µ 一个, V CE = 5 V bc 856 一个 … bc 859 一个 bc 856 b … bc 860 b bc 857 c … bc 860 c I C = 2 毫安, V CE = 5 V bc 856 一个 … bc 859 一个 bc 856 b … bc 860 b bc 857 c … bc 860 c h FE – – – 125 220 420 140 250 480 180 290 520 – – – 250 475 800 根基-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 V BEsat – – 700 850 – – 集电级-发射级损坏电压 I C = 10 µ 一个, V 是 = 0 bc 856 bc 857, bc 860 bc 858, bc 859 V (br)ces 80 50 30 – – – – – – 根基-发射级电压 I C = 2 毫安, V CE = 5 V I C = 10 毫安, V CE = 5 V V 是(在) 600 – 650 – 750 820 1) 脉冲波测试: t ≤ 300 µ s, D = 2 %.

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com