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bc 856w ... bc 860w
半导体 组 2
最大 比率
描述 标识 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
V
集电级-根基 电压
V
CBO
V
集电级-发射级 电压
V
CES
V
集电级 电流
I
C
毫安
总的 电源 消耗,
T
S
= 115 ˚c
P
tot
mW
接合面 温度
T
j
˚C
存储 温度 范围
T
stg
–65   至  150 ˚C
热的 阻抗
接合面 - 包围的
1)
R
th ja
≤
240 k/w
发射级-根基 电压
V
EBO
V
集电级 顶峰 电流
I
CM
毫安
100
555
250
150
80 50 30
200
接合面 - 焊接 要点
R
th js
≤
105 k/w
65 45 30
80 50 30
bc 856w bc 857w
bc 860w
bc 858w
bc 859w

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bc 856w ... bc 860w 半导体组 2 最大比率描述标识单位集电级-发射级电压 V CEO V 集电级-根基电压 V CBO V 集电级-发射级电压 V CES V 集电级电流 I C 毫安总的电源消耗, T S = 115 ˚c P tot mW 接合面温度 T j ˚C 存储温度范围 T stg –65 至 150 ˚C 热的阻抗接合面 - 包围的 1) R th ja ≤ 240 k/w 发射级-根基电压 V EBO V 集电级顶峰电流 I CM 毫安 100 555 250 150 80 50 30 200 接合面 - 焊接要点 R th js ≤ 105 k/w 65 45 30 80 50 30 bc 856w bc 857w bc 860w bc 858w bc 859w

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