BC857S_集成电路资料查询网

bc 857s
半导体 组
May-12-19982
电的 特性
在
T
一个
=25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 单位值
最小值 典型值 最大值
直流 特性 每 晶体管
V45
V
(br)ceo
集电级-发射级 损坏 电压 
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0
- -
集电级-根基 损坏 电压
I
C
= 10 µa,
I
B
= 0
V
(br)cbo
--50
集电级-发射级 损坏 电压 
I
C
= 10 µa,
V
是
= 0
V
(br)ces
50 --
-
V
(br)ebo
5发射级-根基 损坏 电压
I
E
= 10 µa,
I
C
= 0
-
集电级 截止 电流 
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0
I
CBO
-- nA15
µA集电级 截止 电流 
V
CB
= 30 v,
I
E
= 0 ,
T
一个
= 150 °c
I
CBO
- 5-
直流 电流 增益  1)
I
C
= 10 µa,
V
CE
= 5 v
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v
-
200
250
290
h
FE
-
630
-
mV
-
-
集电级-发射级 饱和 voltage1) 
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
V
CEsat
75
250
300
650
根基-发射级 饱和 电压  1) 
I
C
= 10 毫安,
I
B
= 0.5 毫安
I
C
= 100 毫安,
I
B
= 5 毫安
700
850
-
-
-
-
V
BEsat
600
-
650
-
750
820
V
是(在)
根基-发射级 电压  1) 
I
C
= 2 毫安,
V
CE
= 5 v
I
C
= 10 毫安,
V
CE
= 5 v
1) 脉冲波 测试: t < 300
µ
s; d < 2%

标　题:
内　容:
用户名:

手机号:	(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)

本平台电子爱好着纯手工中文简译:	截至2020/5/17日,支持英文词汇500个

bc 857s 半导体组 May-12-19982 电的特性在 T 一个 =25°c, 除非否则指定参数标识单位值最小值典型值最大值直流特性每晶体管 V45 V (br)ceo 集电级-发射级损坏电压 I C = 10 毫安, I B = 0 - - 集电级-根基损坏电压 I C = 10 µa, I B = 0 V (br)cbo --50 集电级-发射级损坏电压 I C = 10 µa, V 是 = 0 V (br)ces 50 -- - V (br)ebo 5发射级-根基损坏电压 I E = 10 µa, I C = 0 - 集电级截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 I CBO -- nA15 µA集电级截止电流 V CB = 30 v, I E = 0 , T 一个 = 150 °c I CBO - 5- 直流电流增益 1) I C = 10 µa, V CE = 5 v I C = 2 毫安, V CE = 5 v - 200 250 290 h FE - 630 - mV - - 集电级-发射级饱和 voltage1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 V CEsat 75 250 300 650 根基-发射级饱和电压 1) I C = 10 毫安, I B = 0.5 毫安 I C = 100 毫安, I B = 5 毫安 700 850 - - - - V BEsat 600 - 650 - 750 820 V 是(在) 根基-发射级电压 1) I C = 2 毫安, V CE = 5 v I C = 10 毫安, V CE = 5 v 1) 脉冲波测试: t < 300 µ s; d < 2%

	电话：13410210660 QQ : 84325569
	联系方式： E-mail:CaiZH01@163.com