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半导体 组
2 十一月-27-1996
bcr 400r
电的 特性
在
T
一个
=25°c, 除非 否则 指定
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
直流 特性
额外的 电流 消耗量
V
S
= 3 v
I
0
- 20 40
µA
最低 stabilizing 电流
V
S
= 3 v
I
最小值
- 0.1 -
毫安
直流 特性 和 stabilized npn-晶体管
最低 sufficient 电池 电压
I
B
(npn)
< 0.5 毫安
V
Smin
- 1.6 -
V
电压 漏出
(v
S
-
V
CE
)
I
C
= 25 毫安
V
漏出
- 0.65 -
改变 的
I
C
相比
h
FE
h
FE
> 50
∆
I
C
/
I
C
- 0.08 -
∆
hfe/hfe
改变 的
I
C
相比
V
S
V
S
> 3 v
∆
I
C
/
I
C
- 0.15 -
∆
vs/vs
改变 的
I
C
相比
T
一个
∆
I
C
/
I
C
- 0.2 - %/k

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半导体组 2 十一月-27-1996 bcr 400r 电的特性在 T 一个 =25°c, 除非否则指定参数标识值单位最小值典型值最大值直流特性额外的电流消耗量 V S = 3 v I 0 - 20 40 µA 最低 stabilizing 电流 V S = 3 v I 最小值 - 0.1 - 毫安直流特性和 stabilized npn-晶体管最低 sufficient 电池电压 I B (npn) < 0.5 毫安 V Smin - 1.6 - V 电压漏出 (v S - V CE ) I C = 25 毫安 V 漏出 - 0.65 - 改变的 I C 相比 h FE h FE > 50 ∆ I C / I C - 0.08 - ∆ hfe/hfe 改变的 I C 相比 V S V S > 3 v ∆ I C / I C - 0.15 - ∆ vs/vs 改变的 I C 相比 T 一个 ∆ I C / I C - 0.2 - %/k

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