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半导体 组
1 十一月-27-1996
bcr 521
npn 硅 数字的 晶体管
• 切换 电路, 反相器, 接口 电路,
驱动器 电路
• 建造 在 偏差 电阻 (r
1
=1k
Ω
, r
2
=1k
Ω
)
类型 标记 订货 代号 管脚 配置 包装
bcr 521 XVs q62702-c2355 1 = b 2 = e 3 = c sot-23
最大 比率
参数 标识 值 单位
集电级-发射级 电压
V
CEO
50 V
集电级-根基 电压
V
CBO
50
发射级-根基 电压
V
EBO
5
输入 在 电压
V
i(在)
10
直流 集电级 电流
I
C
500 毫安
总的 电源 消耗,
T
S
= 79
°C
P
tot
330 mW
接合面 温度
T
j
150 °C
存储 温度
T
stg
- 65 ... + 150
热的 阻抗
接合面 包围的
1)
R
thJA
≤
325 k/w
接合面 - 焊接 要点
R
thJS
≤
215
1) 包装 挂载 在 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm
2
Cu

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半导体组 1 十一月-27-1996 bcr 521 npn 硅数字的晶体管 • 切换电路, 反相器, 接口电路, 驱动器电路 • 建造在偏差电阻 (r 1 =1k Ω , r 2 =1k Ω ) 类型标记订货代号管脚配置包装 bcr 521 XVs q62702-c2355 1 = b 2 = e 3 = c sot-23 最大比率参数标识值单位集电级-发射级电压 V CEO 50 V 集电级-根基电压 V CBO 50 发射级-根基电压 V EBO 5 输入在电压 V i(在) 10 直流集电级电流 I C 500 毫安总的电源消耗, T S = 79 °C P tot 330 mW 接合面温度 T j 150 °C 存储温度 T stg - 65 ... + 150 热的阻抗接合面包围的 1) R thJA ≤ 325 k/w 接合面 - 焊接要点 R thJS ≤ 215 1) 包装挂载在 pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm 2 Cu

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