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半导体 组 128
bsm 294 f
电的 特性
在
T
j
= 25 ˚c, 除非 否则 指定.
参数 标识 值 单位
最小值 典型值 最大值
静态的 特性
流-源 损坏 电压
V
GS
= 0,
I
D
= 0.25 毫安
V
(br)dss
1000 – –
V
门 门槛 电压
V
GS
=
V
DS
,
I
D
= 1 毫安
V
gs(th)
2.1 3.0 4.0
零 门 电压 流 电流
V
DS
= 1000 v,
V
GS
= 0
T
j
= 25 ˚c
T
j
= 125 ˚c
I
DSS
–
–
50
300
250
1000
µ
一个
门-源 泄漏 电流
V
GS
= 20 v,
V
DS
= 0
I
GSS
– 10 100
nA
流-源 在-状态 阻抗
V
GS
= 10 v,
I
D
= 11 一个
R
ds(在)
– 0.57 0.63
Ω
动态 特性
向前 跨导
V
DS
≥
2
×
I
D
×
R
ds(在)最大值.
,
I
D
= 11 一个
g
fs
–12–S
输入 电容
V
GS
= 0,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
iiss
–1824nF
输出 电容
V
GS
= 0,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
oss
– 0.9 1.5
反转 转移 电容
V
GS
= 0,
V
DS
= 25 v,
f
= 1 mhz
C
rss
– 0.35 0.6
转变-在 时间
t
在
(
t
在
=
t
d (在)
+
t
r
)
V
CC
= 500 v,
V
GS
= 10 v
I
D
= 11 一个,
R
GS
= 3.3
Ω
t
d (在)
–40–ns
t
r
–30–
转变-止 时间
t
止
(
t
止
=
t
d (止)
+
t
f
)
V
CC
= 500 v,
V
GS
= 10 v
I
D
= 11 一个,
R
GS
= 3.3
Ω
t
d (止)
–70–
t
f
–55–

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半导体组 128 bsm 294 f 电的特性在 T j = 25 ˚c, 除非否则指定. 参数标识值单位最小值典型值最大值静态的特性流-源损坏电压 V GS = 0, I D = 0.25 毫安 V (br)dss 1000 – – V 门门槛电压 V GS = V DS , I D = 1 毫安 V gs(th) 2.1 3.0 4.0 零门电压流电流 V DS = 1000 v, V GS = 0 T j = 25 ˚c T j = 125 ˚c I DSS – – 50 300 250 1000 µ 一个门-源泄漏电流 V GS = 20 v, V DS = 0 I GSS – 10 100 nA 流-源在-状态阻抗 V GS = 10 v, I D = 11 一个 R ds(在) – 0.57 0.63 Ω 动态特性向前跨导 V DS ≥ 2 × I D × R ds(在)最大值. , I D = 11 一个 g fs –12–S 输入电容 V GS = 0, V DS = 25 v, f = 1 mhz C iiss –1824nF 输出电容 V GS = 0, V DS = 25 v, f = 1 mhz C oss – 0.9 1.5 反转转移电容 V GS = 0, V DS = 25 v, f = 1 mhz C rss – 0.35 0.6 转变-在时间 t 在 ( t 在 = t d (在) + t r ) V CC = 500 v, V GS = 10 v I D = 11 一个, R GS = 3.3 Ω t d (在) –40–ns t r –30– 转变-止时间 t 止 ( t 止 = t d (止) + t f ) V CC = 500 v, V GS = 10 v I D = 11 一个, R GS = 3.3 Ω t d (止) –70– t f –55–

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