bts 774
半导体 组 13 1998-05-01
控制 输入 gl1, 2
门-门槛-电压
V
gl(th)
0.9 1.7 2.2 V
I
DL
= 2 毫安
输入 电流
I
GLN
–1030
µ
一个
V
GL
= 5 v;
正常的 运作
输入 电流
I
GLF
– 150 300
µ
一个
V
GL
= 5 v;
失败 模式
短的 电路 的 lowside 转变 至
V
S
最初的 顶峰 sc 电流
I
SCP
18 26 34 一个
T
j
= – 40
°
C
15 21 27 一个
T
j
= 25
°
C
10 14 18 一个
T
j
= 150
°
C
切换 时间 的 lowside 转变
转变-在-时间;
至 90%
V
SL
t
在
– 100 200
µ
s resistive 加载
I
SH
= 1 一个;
V
S
= 12 v
转变-止-时间;
至 10%
V
SL
t
止
– 50 200
µ
s resistive 加载
I
SH
= 1 一个;
V
S
= 12 v
便条: 切换 时间 是 有保证的 用 设计.
状态 标记 输出 st 的 highside 转变
低 输出 电压
V
STL
–0.20.6v
I
ST
= 1.6 毫安
泄漏 电流
I
STLK
––10
µ
一个
V
ST
= 5 V
齐纳-限制-电压
V
STZ
5.4 – – v
I
ST
= 1.6 毫安
电的 特性
(内容’d)
I
SH1
=
I
SH2
=
I
SL1
=
I
SL2
= 0 一个; – 40
°
c <
T
j
< 150
°
c; 8 v >
V
S
> 18 v
除非 否则 指定
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况
最小值 典型值 最大值
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