5–2
il1/2/5
特性
标识 最小值 典型值 最大值 单位 情况
发射级
向前 电压 V
F
1.25 1.65 V I
F
=60 毫安
损坏 电压 V
BR
630 VI
R
=10
µ
一个
反转 电流 I
R
0.01 10
µ
AV
R
=6 v
电容 C
O
40 pF V
R
=0 v, f=1 mhz
热的 阻抗 接合面 至 含铅的 R
THJL
750
°
c/w
探测器
电容 C
CE
C
CB
C
EB
6.8
8.5
11
pF
pF
pF
V
CE
=5 v, f=1 mhz
V
CB
=5 v, f=1 mhz
V
EB
=5 v, f=1 mhz
集电级-发射级 泄漏 电流 I
CEO
550nAV
CE
=10 v
集电级-发射级 饱和 电压 V
CESAT
0.25 I
CE
=1 毫安, i
B
=20
µ
一个
根基-发射级 电压 V
是
0.65 V V
CE
=10 v, i
B
=20
µ
一个
直流 向前 电流 增益 HFE 200 650 1800 V
CE
=10 v, i
B
=20
µ
一个
saturated 直流 向前 电流 增益 HFE
SAT
120 400 600 V
CE
=0.4 v, i
B
=20
µ
一个
热的 阻抗 接合面 至 含铅的 R
THJL
500
°
c/w
包装 转移特性
IL1
saturated 电流 转移 比率
(集电级-发射级) CTR
CESAT
75 % I
F
=10 毫安, v
CE
=0.4 v
电流 转移 比率
(集电级-发射级) CTR
CE
20 80 300 % I
F
=10 毫安, v
CE
=10 v
电流 转移 比率
(集电级-根基) CTR
CB
0.25 % I
F
=10 毫安, v
CB
=9.3 v
IL2
saturated 电流 转移 比率
(集电级-发射级) CTR
CESAT
170 % I
F
=10 毫安, v
CE
=0.4 v
电流 转移 比率
(集电级-发射级) CTR
CE
100 200 500 % I
F
=10 毫安, v
CE
=10 v
电流 转移 比率 CTR
CB
0.25 % I
F
=10 毫安, v
CB
=9.3 v
IL5
saturated 电流 转移 比率
(集电级-发射级) CTR
CESAT
100 % I
F
=10 毫安, v
CE
=0.4 v
电流 转移 比率
(集电级-发射级) CTR
CE
50 130 400 % I
F
=10 毫安, v
CE
=10 v
电流 转移 比率 CTR
CB
0.25 % I
F
=10 毫安, v
CB
=9.3 v
分开 和 绝缘
一般 模式 拒绝 输出 高 CMH 5000 v/
µ
sV
CM
=50 v
p-p
, r
L
=1 k
Ω
, i
F
=0 毫安
一般 模式 拒绝 输出 低 CML 5000 v/
µ
sV
CM
=50 v
p-p
, r
L
=1 k
Ω
, i
F
=10
毫安
一般 模式 连接 电容 C
CM
0.01 pF
包装 电容 C
i-o
0.6 pF V
i-o
=0 v, f=1 mhz
绝缘 阻抗 R
S
10
+14
Ω
V
i-o
=500 v
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