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半导体 组 06 / 19984
SPP46N03
SPB46N03
初步的 数据
电的 特性
参数 值 单位标识
典型值最小值 最大值
在
T
j
= 25 °c, 除非 否则 指定
动态 特性
3.6
Q
g(th)
2.4-门 承担 在 门槛
V
DD
= 24 v,
I
D
≥
0,1 一个,
V
GS
= 0 至 1 v
nC
门 承担 在
V
gs
=7V
V
DD
= 24 v,
I
D
= 46 一个,
V
GS
= 0 至 7 v
- 45 nC30.2
Q
g(7)
门 承担 总的
V
DD
= 24 v,
I
D
= 46 一个,
V
GS
= 0 至 10 v
60
Q
g
- 39
门 plateau 电压
V
DD
= 24 v,
I
D
= 46 一个
V
(plateau)
- 5.5 - V
反转 二极管
inverse 二极管 持续的 向前 电流
T
C
= 108 °c
I
S
- - 46 一个
inverse 二极管 直接 电流,搏动
T
C
= 25 °c
I
SM
- - 184
inverse 二极管 向前 电压
V
GS
= 0 v,
I
F
= 92 一个
V
SD
- 1.06 1.7 V
反转 恢复 时间
V
R
= 15 v,
I
F
=
I
S
, d
i
F
/d
t
= 100 一个/µs
t
rr
- 40 60 ns
反转 恢复 承担
V
R
= 15 v,
I
F
=
l
S
, d
i
F
/d
t
= 100 一个/µs
Q
rr
- 0.04 0.06 µC

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半导体组 06 / 19984 SPP46N03 SPB46N03 初步的数据电的特性参数值单位标识典型值最小值最大值在 T j = 25 °c, 除非否则指定动态特性 3.6 Q g(th) 2.4-门承担在门槛 V DD = 24 v, I D ≥ 0,1 一个, V GS = 0 至 1 v nC 门承担在 V gs =7V V DD = 24 v, I D = 46 一个, V GS = 0 至 7 v - 45 nC30.2 Q g(7) 门承担总的 V DD = 24 v, I D = 46 一个, V GS = 0 至 10 v 60 Q g - 39 门 plateau 电压 V DD = 24 v, I D = 46 一个 V (plateau) - 5.5 - V 反转二极管 inverse 二极管持续的向前电流 T C = 108 °c I S - - 46 一个 inverse 二极管直接电流,搏动 T C = 25 °c I SM - - 184 inverse 二极管向前电压 V GS = 0 v, I F = 92 一个 V SD - 1.06 1.7 V 反转恢复时间 V R = 15 v, I F = I S , d i F /d t = 100 一个/µs t rr - 40 60 ns 反转恢复承担 V R = 15 v, I F = l S , d i F /d t = 100 一个/µs Q rr - 0.04 0.06 µC

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