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半导体 组 7
tda 4814
运行 范围
供应 电压
V
S
V
s 在
V
Z
V 值 为
V
s 在
,
V
Z
:
看 特性
z-电流
驱动器 电流
I
Z
I
q qsip
0
– 500
200
500
毫安
毫安
注意到
P
最大值
–
运行 温度
T
一个
– 25 85 ˚C –
特性
V
s 在
1)
<
V
S
<
V
Z
;
T
一个
= – 25 至 85 ˚c
参数 标识 限制 值 单位
最小值 典型值 最大值
电流 消耗量
没有 加载 在 驱动器 qsip
和
V
REF
; qsip 低
0 v <
V
S
<
V
s 在
V
s 在
<
V
S
>
V
Z
加载 在 qd 和 sipmos 门;
动态 运作 50 khz
V
S
= 12 v
加载 在 q = 10 nf
I
S
I
S
I
S
–
2.5
–
–
5
–
0.5
6.5
15
毫安
毫安
毫安
hysteresis 在
V
S
转变-在 门槛 为
V
S
rising
切换 hysteresis
V
SH
V
s hy
9.6
1.0
10.4
–
11.2
1.7
V
V
比较器
(竞赛)
输入 补偿 电压
输入 电流
一般模式 输入 电压 范围
V
I
O
–
I
I
V
I
C
– 10
–
0
–
–
–
10
2
3.5
mV
µ
一个
V
绝对 最大 比率
(内容’d)
T
一个
= – 40 至 125 ˚c
参数 标识 限制 值 单位 注释
最小值 最大值

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半导体组 7 tda 4814 运行范围供应电压 V S V s 在 V Z V 值为 V s 在 , V Z : 看特性 z-电流驱动器电流 I Z I q qsip 0 – 500 200 500 毫安毫安注意到 P 最大值 – 运行温度 T 一个 – 25 85 ˚C – 特性 V s 在 1) < V S < V Z ; T 一个 = – 25 至 85 ˚c 参数标识限制值单位最小值典型值最大值电流消耗量没有加载在驱动器 qsip 和 V REF ; qsip 低 0 v < V S < V s 在 V s 在 < V S > V Z 加载在 qd 和 sipmos 门; 动态运作 50 khz V S = 12 v 加载在 q = 10 nf I S I S I S – 2.5 – – 5 – 0.5 6.5 15 毫安毫安毫安 hysteresis 在 V S 转变-在门槛为 V S rising 切换 hysteresis V SH V s hy 9.6 1.0 10.4 – 11.2 1.7 V V 比较器 (竞赛) 输入补偿电压输入电流一般模式输入电压范围 V I O – I I V I C – 10 – 0 – – – 10 2 3.5 mV µ 一个 V 绝对最大比率 (内容’d) T 一个 = – 40 至 125 ˚c 参数标识限制值单位注释最小值最大值

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