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资料编号:106356
 
资料名称:SI9948AEY
 
文件大小: 59.23K
   
说明
 
介绍:
Dual P-Channel 60-V (D-S), 175C MOSFET
 
 


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Si9948AEY
vishay siliconix
www.vishay.com
faxback 408-970-5600
2-4
文档 号码: 70759
s-57253—rev. b, 24-二月-98
  
  
0 0.3 0.6 0.9 1.2 1.5
源-流 二极管 向前 电压 在-阻抗 vs. 门-至-源 电压
门槛 电压 单独的 脉冲波 电源
normalized 热的 瞬时 阻抗, 接合面-至-包围的
正方形的 波 脉冲波 持续时间 (秒)
normalized 有效的 瞬时
热的 阻抗
– 在-阻抗 (r
ds(在)
)
V
SD
– 源-至-流 电压 (v) V
GS
– 门-至-源 电压 (v)
– 源 电流 (一个)i
S
T
J
– 温度 (
c) 时间 (秒)
电源 (w)
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0246810
–0.4
–0.2
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
–50 –25 0 25 50 75 100 125 150 175
T
J
= 175
C
2
1
0.1
0.01
10
–4
10
–3
10
–2
10
–1
110 10
+3
I
D
= 2.6 一个
I
D
= 250
µ
一个
0
0.2
0.1
0.05
0.02
单独的 脉冲波
1. 职责 循环, d =
2. 每 单位 根基 = r
thJA
= 93
c/w
3. t
JM
– t
一个
= p
DM
Z
thJA
(t)
t
1
t
2
t
1
t
2
注释:
4. 表面 挂载
P
DM
variance (v)v
gs(th)
T
J
= 25
C
30
60
90
120
0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000
10
+2
1
10
20
职责 循环 = 0.5
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