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TLE 4202 B
半导体 组 8 1998-02-01
特性
V
S
≤
7 v 至 17 v;
T
C
= – 40 至 110
°
C
参数 标识 限制 值 单位 测试 情况 测试
电路
最小值 典型值 最大值
饱和 电压
源 运作
量过的 至
V
S
V
Sato
V
Sato
V
Sato
–
–
–
0.9
1.2
1.5
1.2
1.8
2.4
V
V
V
I
Q
= – 0.3 一个;s = 1
I
Q
= – 1 一个; s = 1
I
Q
= – 2 一个; s = 1
2
2
2
下沉 运作
V
Satu
V
Satu
V
Satu
–
–
–
0.25
0.5
1.2
0.60
1.1
2
V
V
V
I
Q
= 0.3 一个; s1 = 2
I
Q
= 1 一个; s1 = 2
I
Q
= 2 一个; s1 = 2
2
2
2
短的-电路
电流
–
I
SC
––3.5v
V
Q
= 0 v
T
C
= 25
°
c 至
110
°
C
–

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TLE 4202 B 半导体组 8 1998-02-01 特性 V S ≤ 7 v 至 17 v; T C = – 40 至 110 ° C 参数标识限制值单位测试情况测试电路最小值典型值最大值饱和电压源运作量过的至 V S V Sato V Sato V Sato – – – 0.9 1.2 1.5 1.2 1.8 2.4 V V V I Q = – 0.3 一个;s = 1 I Q = – 1 一个; s = 1 I Q = – 2 一个; s = 1 2 2 2 下沉运作 V Satu V Satu V Satu – – – 0.25 0.5 1.2 0.60 1.1 2 V V V I Q = 0.3 一个; s1 = 2 I Q = 1 一个; s1 = 2 I Q = 2 一个; s1 = 2 2 2 2 短的-电路电流 – I SC ––3.5v V Q = 0 v T C = 25 ° c 至 110 ° C –

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