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tle 4205
半导体 组 7 1998-02-01
绝对 最大 比率
T
j
=
−
40 至 150
°
C
参数 标识 限制 值 单位 Remarks
最小值 最大值
供应 电压
V
S
–0.3 45 V –
差别的 输入 电压
V
ID
–
±
V
S
V
∆
V
6-5
或者
∆
V
7-8
tle 4205
∆
V
8-9
或者
∆
V
10-11
tle 4205 g
输出 电流
I
Q
– 1 1 一个 –
供应 电流
I
S
2.5 3 一个 –
地面 电流
I
地
–3 2.5 一个 I2
输入 电压
V
I
–15
V
S
V
V
5
;
V
6
;
V
7
;
V
8
tle 4205
V
8
;
V
9
;
V
10
;
V
11
tle 4205 g
inhibit 输入
V
Inh
–15
V
S
V
V
9
tle 4205
V
12
tle 4205g
接合面 温度
T
j
– 150
°
C–
存储 温度
T
stg
– 50 150
°
C–
运行 范围
供应 电压
V
S
632V–
情况 温度
T
C
– 40 105
°
C
P
Dmax
= 3 w; 插件
情况 温度
T
C
– 40 95
°
C
P
Dmax
= 3 w; 所以
热的 阻抗
接合面 - 包围的
接合面 - 情况
R
th ja
R
th jc
–
–
60
15
k/w
k/w
tle 4205
tle 4205
热的 阻抗
接合面 - 包围的
接合面 - 情况
R
th ja
R
th jc
–
–
65
20
k/w
k/w
tle 4205 g
tle 4205 g
输出 管脚 1 (19) 和 管脚 3 (1) 短的-电路 proof 至 地 在
V
S
≤
18 v 为 tle 4205
(tle 4205g)

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tle 4205 半导体组 7 1998-02-01 绝对最大比率 T j = − 40 至 150 ° C 参数标识限制值单位 Remarks 最小值最大值供应电压 V S –0.3 45 V – 差别的输入电压 V ID – ± V S V ∆ V 6-5 或者 ∆ V 7-8 tle 4205 ∆ V 8-9 或者 ∆ V 10-11 tle 4205 g 输出电流 I Q – 1 1 一个 – 供应电流 I S 2.5 3 一个 – 地面电流 I 地 –3 2.5 一个 I2 输入电压 V I –15 V S V V 5 ; V 6 ; V 7 ; V 8 tle 4205 V 8 ; V 9 ; V 10 ; V 11 tle 4205 g inhibit 输入 V Inh –15 V S V V 9 tle 4205 V 12 tle 4205g 接合面温度 T j – 150 ° C– 存储温度 T stg – 50 150 ° C– 运行范围供应电压 V S 632V– 情况温度 T C – 40 105 ° C P Dmax = 3 w; 插件情况温度 T C – 40 95 ° C P Dmax = 3 w; 所以热的阻抗接合面 - 包围的接合面 - 情况 R th ja R th jc – – 60 15 k/w k/w tle 4205 tle 4205 热的阻抗接合面 - 包围的接合面 - 情况 R th ja R th jc – – 65 20 k/w k/w tle 4205 g tle 4205 g 输出管脚 1 (19) 和管脚 3 (1) 短的-电路 proof 至地在 V S ≤ 18 v 为 tle 4205 (tle 4205g)

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